Можно ли разогнать оперативную память ddr4. Как разогнать оперативную память? Программа для разгона оперативной памяти

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Многие ошибочно считают, что установить оперативную память проще простого, настраивать ее якобы не нужно, а разгонять – вообще нет смысла. На самом же деле все намного сложнее и сейчас я в форме вопросов и ответов расскажу, как выжать максимум производительности из оперативной памяти.

Редакция благодарит компании Kingston и MSI , любезно предоставившие комплекты памяти и материнские платы для тестирования.

Можно ли совмещаться память разных моделей, брендов и частот?

В теории для ПК можно использовать несколько модулей оперативной памяти не только от разных производителей, но и с разной частотой. В таком случае вся память будет работать на частоте самого медленного модуля. Но на практике же могут возникнуть конфликты несовместимости: ПК может вообще не запускаться, либо же могут случаться периодические сбои ОС. Поэтому оперативку лучше сразу покупать набором из двух или четырех модулей, особенно если планируете заняться разгоном. В модулях из одного комплекта применяются чипы из одной партии, обладающие идентичным разгонным потенциал.

Насколько полезен многоканальный режим работы памяти?

Все современные процессорные платформы Intel и AMD для настольных ПК поддерживают, как минимум, двухканальный режим работы памяти. В свою очередь процессоры Intel Core i7 Gulftown и Intel Xeon Nehalem и Westmere поддерживают трехканальный режим, а AMD Opteron серии 6000, Intel Core i7 LGA 2011 и Xeon E5 и E7 – вообще четырехканальный (восемь слотов памяти).

Процессору двухканальный режим памяти прибавляет от 5 до 10 процентов производительности, тогда как интегрированному графическому ускорителю – до 50 процентов. Именно поэтому при сборке супердешевого 350-долларового игрового ПК на процессоре AMD A8-7600 со встроенной графикой Radeon R7 мы строго-настрого рекомендуем использовать два модуля памяти.

При наличии только двух модулей памяти и материнской платы с четырьмя слотами DIMM важно не ошибиться с очередностью установки. Так, чтобы задействовать двухканальный режим, модули нужно останавливать в разъемы через один, то есть первый и третий, либо второй и четвертый. Более универсальным является, пожалуй, второй вариант, так как первый слот может перекрываться крупным процессорным кулером, как то be quiet! Pure Rock. Впрочем, для памяти HyperX Savage и Fury с низкопрофильными радиаторами это не является проблемой.

Проверить, действительно ли память заработала в двухканальном режиме, можно с помощью приложения AIDA64 (пункт меню «Тест кеша и памяти»). Эта же программа поможет измерить быстродействие памяти до и после разгона.

Как настроить частоту и тайминги памяти?

Сразу после установки оперативка зачастую работает на своей минимальной частоте, либо на частоте, которую официально поддерживает процессор. К примеру, 2400-МГц HyperX Savage на процессоре Intel Core i3-4130 по умолчанию заработала на частоте всего лишь 1600 МГц. Выставить максимальную частоту памяти можно в настройках BIOS материнской платы: либо вручную, либо с помощью технологии Intel XMP (поддерживается даже материнками AMD).

Если выбрать вручную 2400 МГц, то память будет работать при стандартных для этой частоты таймингах (задержках) 11-14-14-33. Но на практике HyperX Savage может стабильно работать на той же частоте при меньших таймингах. А ведь именно соотношение высокой частоты и низких таймингов гарантирует высокое быстродействие памяти.

Чтобы не пришлось подбирать значение каждого тайминга вручную, компания Intel разработала технологию под названием Extreme Memory Profile. Она позволяет буквально в два клика выбрать оптимальный профиль работы памяти, заранее приготовленный производителем. Так, наша версия HyperX Savage поддерживает два XMP-профиля: 2400 МГц 11-13-14-32 и 2133 МГц 11-13-13-30. Первый актуален, например, для материнской платы Z97 Gaming 5 с поддержкой разгона памяти до 3300 МГц, а второй – для материнки MSI 970 Gaming, в которой частота оперативки ограничена 2133 МГц.

Как разогнать память?

Разгон чего-либо (процессора, видеокарты, памяти) это всегда лотерея: один экземпляр может разгоняться хорошо, второй точно такой же – плохо. Бояться что память во время разгона выйдет из строя не стоит: если вы установите слишком высокую частоту, она попросту не запустится.

Если у материнской платы нет функции автоматического отката настроек разгона после нескольких неудачных попыток запуска ПК, сбросить настройки можно вручную с помощью перемычки Clear CMOS (другое название JBAT).

В случаев оперативной памяти подбирать экспериментальным методом придется не только частоту и напряжение питания, но и тайминги. Причем не факт, что удастся подобрать соотношение лучше, чем то что предусмотрено максимальным XMP-профилем. В случае HyperX Savage именно это и случилось: разогнать память удалось до частоты 2600 МГц, но тайминги пришлось повысить до 12-14-15-33.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Измерение быстродействие памяти вышеупомянутой программой AIDA64 Cache & Memory Benchmark до и после разгона показало падение скорости в среднем на 14 процентов. Так что разгон памяти на 200 МГц выше номинала оказался эффектным в теории, но бесполезным на практике. Но это в случае топовой 2400-МГц версии HyperX Savage, а у более низкочастотной версии, например 1600-МГц, потенциал для ручного разгона намного лучше.

Выводы

Как видите, правильно установить и настроить оперативную память не так уж и сложно, особенно если она поддерживает готовые XMP-профили. Если покупать память комплектом, то можно получить прирост быстродействия не только от двухканального режима, но и от удачного разгона. А чтобы не было несовместимости с крупными процессорными кулерами, лучше выбрать низкопрофильную оперативку, особенно если планируете использовать ближайший к процессору слот памяти.

The post Как правильно установить, настроить и разогнать оперативную память appeared first on

Привет, GT! Все мы любим новое железо - приятно работать за быстрым компьютером, а не смотреть на всякие прогрессбары и прочие песочные часики. Если с процессорами и видеокартами всё более-менее понятно: вот новое поколение, получите ваши 10-20-30-50% производительности, то с оперативкой всё не так просто.

Где прогресс в модулях памяти, почему цена на гигабайт почти не падает и чем порадовать свой компьютер - в нашем железном ликбезе.

DDR4

Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (более известный как JEDEC) трудится над тем, чтобы ваша оперативная память Kingston подходила к материнской плате ASUS или Gigabyte, и по этим правилам играют все. По части электрики, физики и разъёмов всё жёстко (оно и понятно, нужно обеспечить физическую совместимость), а вот в отношении рабочих частот, объёмов модулей и задержек в работе правила допускают некоторую волатильность: хотите сделать лучше - делайте, главное, чтобы на стандартных настройках у пользователей не было проблем.

Именно так получились в своё время модули DDR3 с частотой выше, чем 1600 МГц, и DDR4 с частотами выше 3200 МГц: они превышают базовые спецификации, и могут работать как на «стандартных» параметрах, совместимых со всеми материнскими платами, так и с экстремальными профилями (X.M.P.), протестированными на заводе и зашитыми в BIOS памяти.

Прогресс

Во-вторых, память потихоньку переходит на новый техпроцесс. К сожалению, здесь нельзя проводить улучшения также быстро, как делают (делали последние лет 10) производители видеокарт или центральных процессоров: грубое уменьшение размеров рабочих частей, то есть транзисторов, потребует соответствующего снижения рабочих напряжений, которые ограничены стандартом JEDEC и встроенными в CPU контроллерами памяти.

Поэтому единственное, что остаётся - не только «поджимать» производственные нормы, но ещё и параллельно увеличивать скорость работы каждой микросхемы, что потребует соответствующего повышения напряжения. В итоге и частоты растут, и объёмы одного модуля.

Примеров такого развития много. В 2009-2010 году нормальным был выбор между 2/4 гигабайтами DDR3 1066 МГц и DDR3 1333 МГц на один модуль (обе были выполнены по 90-нм техпроцессу). Сегодня же умирающий стандарт готов предложить вам 1600, 1866, 2000 и даже 2133 МГц рабочих частот на модулях в 4, 8 и 16 ГБ, правда внутри уже 32, 30 и даже 28 нм.

К сожалению, подобный апгрейд стоит немалых денег (в первую очередь на исследования, закупку оборудования и отладку производственного процесса), так что ждать радикального уменьшения цены 1 ГБ оперативки до выхода DDR5 не придётся: ну а там нас ждёт очередное удвоение полезных характеристик при той же цене производства.

Цена улучшений, разгон и поиски баланса

Например, память может работать на профилях 2133 МГц и 2400 МГц с одинаковым набором таймингов (15-15-15-29) - в таком случае разгон оправдан: при большей частоте задержки в несколько тактов только уменьшатся, и вы получите не только увеличение линейной скорости чтения, но и скорости отклика. А вот если следующий порог (2666 МГц) требует увеличения задержек на 1-2, а то и 3 единицы, стоит задуматься. Проведём простые вычисления.

Делим рабочую частоту на первый тайминг (CAS). Чем выше соотношение - тем лучше:

2133 / 15 = 142,2
2400 / 15 = 160
2666 / 16 = 166,625
2666 / 17 = 156,823

Как видно из расчётов, наибольший прирост - апгрейд с 2133 до 2400 МГц при тех же таймингах. Увеличение задержки на 1 такт, необходимое для стабильной работы на частоте 2666 МГц всё ещё даёт преимущества (но уже не такие серьёзные), а если ваша память работает на повышенной частоте только с увеличением тайминга на 2 единицы - производительность даже немного снизится относительно 2400 МГц.

Верно и обратное: если модули совершенно не хотят увеличивать частоты (то есть вы нащупали предел для конкретно вашего комплекта памяти) - можно попытаться отыграть немного «бесплатной» производительности, снизив задержки.

На самом деле факторов несколько больше, но даже эти простые расчёты помогу не напортачить с разгоном памяти: нет смысла выжимать максимальную скорость из модулей, если результаты станут хуже, чем на средних показателях.

Практическое применение разгона памяти

Аппаратно же системы со встроенной в процессор графикой (и лишённые собственной видеопамяти) получают значительный прирост производительности как при снижении задержек, так и при увеличении рабочих частот: простенький контроллер и невысокая пропускная способность очень часто становится бутылочным горлышком интегрированных GPU. Так что если ваши любимые «Цистерны» еле-еле ползают на встроенной графике старенького компа - вы знаете, что можно попробовать предпринять для улучшения ситуации.

Мэйнстрим

Что под капотом?

Шаг первый: прогреваем модуль памяти феном или активными нагрузками на чтение-запись (во втором случае вам надо быстренько выключить ПК, обесточить его и снять оперативку, пока она ещё горячая).

Шаг второй: находим сторону без наклейки и аккуратно подцепляем радиатор чем-нибудь в центре и по краям. Использовать печатную плату как основание для рычага можно, но с осторожностью. Внимательно выбираем точку опоры, стараемся избегать давления на на хрупкие элементы. Действовать лучше по принципу «медленно, но верно».

Шаг третий: открываем радиатор и разъединяем замки. Вот они, драгоценные чипы. Распаяны с одной стороны. Производитель - Micron, модель чипов 6XA77 D9SRJ.

8 штук по 1 Гб каждый, заводской профиль - 2400 МГц @ CL16.

Правда, дома снимать теплораспределители не стоит - сорвёте пломбу и плакала ваша пожизненная 1 гарантия. Да и родные радиаторы отлично справляются с возложенными на них функциями.

Попробуем измерить эффект от разгона оперативки на примере комплекта HyperX Fury HX426C16FW2K4/32. Расшифровка названия даёт нам следующую информацию: HX4 - DDR4, 26 - заводская частота 2666 МГц, C16 - задержки CL16. Далее идёт код цвета радиаторов (в нашем случае - белый), и описание комплекта K4/32 - набор из 4 модулей суммарным объёмом 32 ГБ. То есть уже сейчас видно, что оперативка незначительно разогнана ещё при производстве: вместо штатных 2400 прошит профиль 2666 МГц с теми же таймингами.

Помимо эстетического удовольствия от созерцания четырёх «Белоснежек» в корпусе вашего ПК этот набор готов предложить весомых 32 гига памяти и нацелен на пользователей обычных процессоров, не особо балующихся разгоном CPU. Современные Intel’ы без буквы K на конце окончательно лишились всех возможных способов получения бесплатной производительности, и практически не получают никаких бонусов от памяти с частотой выше 2400 МГц.

В качестве тестовых стендов мы взяли два компьютера. Один на базе Intel Core i7-6800K и материнской плате ASUS X99 (он представляет платформу для энтузиастов с четырёхканальным контроллером памяти), второй с Core i5-7600 внутри (этот будет отдуваться за мэйнстримовое железо со встроенной графикой и отсутствующим разгоном). На первом проверим разгонный потенциал памяти, а на втором будем измерять реальную производительность в играх и рабочем софте.

Разгонный потенциал

DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V

2133 / 12 = 177.75
2400 / 14 = 171.428
2666 / 15 = 177.7(3)

Лучший результат, который удалось достичь с тестовым комплектом из 4 модулей - 2666 МГц при таймингах CL13-14-13. Это существенно увеличит скорость доступа к случайным данным (2666 / 13 = 205.07) и должно показать неплохое улучшение результатов в игровом бенчмарке. В двухканальном режиме память разгоняется лучше: специалисты из oclab ухитрились довести комплект из двух 16 Гб модулей до частоты 3000 МГц @ CL14-15-15-28 с подъёмом напряжения до 1.4 Вольта - отличный результат.

Натурные испытания

За средний FPS возьмём значения, укладывающиеся в нормальное течение игры: пролёт самолёта, езда в городе, уничтожение супостатов имеют равномерный профиль нагрузки. По таким сценам (отбросив 1% лучших и худших результатов из массива данных) и получим средне-игровой FPS.

Просадки определим по сценам со взрывами и сложными эффектами (водопад под мостом, закатные пейзажи) аналогичным образом.

Подлагивания и неприятные фризы при резкой смене окружения (переключение от одного тестируемого случая к другому) случаются даже на монструозной GTX 1080Ti, постараемся их отметить, но в результаты не возьмём: в игре оно не встречается, и это, скорее, косяк самого бенчмарка.

Конфигурация демо-стенда

CPU: Intel Core i5-7500 (4c4t @ 3.8 ГГц)
GPU: Intel HD530
RAM: 32 GB HyperX Fury White (2133 МГц CL12, 2666 МГц CL15 и 2666 МГц CL13)
MB: ASUS B250M
SSD: Kingston A400 240 GB

Причина очевидна - мощностей GPU достаточно, а вот блоки растеризации просто не успевают собрать и отрисовать большее число кадров в секунду. На «высоких» настройках графики результаты стремительно ухудшаются: игра начинает упираться непосредственно в скромные вычислительные возможности интегрированной графики.

2133 МГц CL12

Для сравнения, пропускная способность подсистемы памяти у самой скромной дискретной карточки NVIDIA GTX 1030 - 48 Гб/с, а GTX 1050 Ti (которая легко выдаёт в GTA V 60 FPS на максимальных настройках в FullHD) - уже 112 Гб/с.

На заднем плане виден тот самый водопад под мостом, просаживающий FPS во внутриигровом бенчмарке.

Результаты бенчмарка просели до 28 FPS в среднем, а лаги при смене локаций и взрывах их ненапряжных просадок превратились в неприятные микрофризы.

2666 МГц CL13

Максимальный FPS практически не вырос (0.1 не показатель и находится на грани погрешности измерений) - здесь мы всё ещё упираемся в скромные возможности ROP’ов, а вот все просадки стали менее заметны. В сценах с водопадом из-за высокой вычислительной нагрузки результат не изменился, во всех остальных - то есть на прогрузках, взрывах и прочих радостях, замедлявших работу видеоядра вырос в среднем на 10-15%. Вместо 25–27 кадров в нагруженных событиями эпизодах - уверенные 28–29. В целом игра стала ощущаться значительно комфортнее.

TL;DR и результаты

Проведённые тесты показали, что компьютеры на базе Intel Core i-серии со встроенной графикой получают заметный прирост производительности при использовании высокоскоростной памяти с низкими задержками. Видеоядро не имеет собственных ресурсов для хранения и обработки данных и пользуется системными отлично отвечает (до определённого предела) на рост частоты и снижение таймингов, так как от скорости доступа к памяти напрямую зависит время отрисовки кадра со множеством объектов.

Самое важное! Линейка Fury выпускается в нескольких цветах: белом, красном и чёрном - можно подобрать не только быструю память, но и подходящую по стилю к остальным комплектующим, как делают специалисты из

Теперь же поговорим о мифах, связанных с ОЗУ.

1. Двухканальный режим работы не нужен, главное - объем.

Неудивительно, что одна плашка на 8 ГБ стоит дешевле, чем две по 4 ГБ, так что желание сэкономить выглядит очевидным. Но не стоит этого делать, если вы используете ПК не только для серфинга в интернете и просмотра фильмов - двухканальный режим ускоряет работу с ОЗУ на 70-90%, что и снизит нагрузку на процессор (он будет меньше времени простаивать - а значит больше времени сможет работать), и ускорит производительность в любых вычислительных и игровых задачах, причем зачастую разница будет не в единицы процентов, а в десятки, то есть переплата за две плашки порядка 5-7% стоит того.

2. Для получения двухканального режима нужны две идентичные плашки ОЗУ.

Если мы не берем времена DDR и DDR2, когда установка больше одной плашки памяти могла вызвать многочисленные танцы с бубном, даже если модули были одинаковыми, то сейчас с этим все проще: у плашек DDR3 и DDR4 может быть любой объем, частота и тайминги - в большинстве случаев (увы - из-за кривых BIOS исключения бывают) двухканальный режим будет работать, объем модулей, разумеется, суммироваться, а частоты будут браться по самой медленной плашке и (или) спецификациям JEDEC: это комитет, который занимается разработкой ОЗУ. По их предписаниям, в любой плашке памяти должна быть зашита определенная частота и тайминги для каждого стандарта памяти - это как раз создано для того, чтобы любые плашки одного стандарта (например, DDR4) всегда могли найти «общий язык».

3. Разгон ОЗУ - баловство, нужное только для получения высоких циферек в бенчмарках

Еще лет 7-10 назад это действительно было так - более того, тогда и двухканальный режим особо производительность не увеличивал. Но, увы, сейчас времена меняются: так, например, у процессоров Ryzen частота ОЗУ связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер, так что разгон ОЗУ в их случае напрямую влияет на производительность CPU. Но даже в случае процессоров от Intel более высокая частота памяти дает свои результаты:

Так, при обработке фотографий увеличение скорости ОЗУ с 2400 до 2933 МГц - такой разгон способны взять практически любые модули DDR4 - время обработки уменьшается на 15-20%, что очень и очень существенно.

4. Встроенные профили авторазгона XMP/D.O.C.P сразу же предлагают лучшие частоты и тайминги

Разгон становится все проще и доступнее рядовому пользователю: так, сейчас на рынке выпускается огромное количество модулей ОЗУ со вшитыми профилями авторазгона - стоит выбрать их в BIOS, как ваша память сразу же стабильно заработает на частотах, зачастую в полтора раза выше стандартных для DDR4 2133 МГц. Однако следует понимать, что прежде чем выставить такую частоту и тайминги в своем профиле, производитель тщательно протестировал большое количество плашек, так что такие профили - это как Turbo Boost в процессоре: вроде и разгон, но в щадящем режиме.

Поэтому есть смысл еще «покрутить» настройки самому - зачастую получится «выжать» еще пару сотен мегагерц, что даст вам лишние 5-10% производительности. С учетом того, что производитель зачастую выпускает целую линейку памяти, например 3066/3200/3333 МГц, то зачастую можно взять самую дешевую, на 3066 МГц, и поставить параметры от 3333 МГц, получив такую же производительность и несколько сэкономив.

5. Быстрая ОЗУ увеличит производительность в любом случае

Не стоит забывать, что далеко не всегда можно разогнать память: так, у Intel это можно сделать только на чипсетах Z-серии. Поэтому абсолютно нет смысла брать какой-нибудь i5-8400, плату на B360 чипсете и ОЗУ DDR4-3200 МГц - контроллер памяти в процессоре не даст вам поднять частоту выше 2666 МГц, так что смысла в переплате за быструю ОЗУ тут нет.

Это же касается и ноутбуков - редкие дорогие модели с процессорами HK имеют возможность разогнать память, и если у вас не такой CPU - нет смысла брать ОЗУ с частотами выше 2400-2666 МГц.

6. Радиаторы на ОЗУ - нужная вещь, спасают плашки от перегрева

Миф, активно продвигаемый различными маркетологами, чтобы продать вам те же самые плашки, но уже с радиаторами и несколько дороже. Во-первых, если у вас случаи как в пункте 5, то есть память работает на частотах и напряжениях, близких к спецификациям JEDEC (2133-2400 МГц и 1.2 В для DDR4), то радиаторы не нужны абсолютно: нагрев едва ли превысит 35-40 градусов даже под серьезной нагрузкой - именно поэтому ноутбучная память идет без радиаторов.

Более того, даже если вы берете высокочастотную память, которая способна взять 4000+ МГц при 1.35-1.4 или даже 1.5 В (последнее значение уже считается экстремальным), то нагрев может стать ощутимым - вплоть до 50-60 градусов. Однако если посмотреть, при каких температурах могут работать чипы памяти, то всплывает интересная картина - зачастую цифры от различных производителей колеблются от 80 до 90 градусов, что банально недостижимо ни при каком мыслимом разгоне. Поэтому радиаторы в данном случае - просто украшение.

7. От разгона оперативная память сгорает

Да, и именно поэтому ОЗУ некоторые производители продают уже разогнанной, причем не только частоту памяти повышают, но еще и напряжение. Разумеется, при желании сломать можно любую вещь, так что лучше не выходить за определенные рамки: так, безопасными напряжениями для DDR4 считаются 1.2-1.35 В, частоты - любые, достижимые в этом диапазоне напряжений (так как частота - параметр, который никак к «железу» не относится, а значит и сжечь его не может).

8. Если на плате есть слоты и DDR3, и DDR4, то можно ставить любые сочетания плашек - они заработают вместе

Достаточно опасный миф: во-первых, разумеется DDR3 и DDR4 вместе работать не смогут, как минимум из-за того, что у них нет общих по JEDEC частот и таймингов. Во-вторых, установка вместе DDR3 и DDR4 может повредить плату или память - например, на DDR4 плата может подать напряжение в 1.5 В, которое для DDR3 является вполне рабочим, а вот для DDR4 - экстремальным. Так что следите за тем, чтобы на плату были установлены плашки только одного типа.

9. Последние поколения процессоров от Intel (Coffee Lake) не умеют работать с DDR3

Действительно, если зайти на официальный сайт Intel, то в спецификациях будет поддержка только DDR4:

Однако на деле в Intel особо не меняли контроллер ОЗУ со времен Skylake, и учитывая то, что многие производители материнских плат гонятся за прибылью, а не за выполнением условий, поставленных Intel, в продажу попадают вот такие платы:

Маркировка платы - Biostar H310MHD3, то есть это H310 чипсет, который поддерживает даже Core i9-9900K, а на плате есть только два слота DDR3. Так что если вы решили обновить процессор - абсолютно не обязательно менять при этом еще и ОЗУ.

10. При разгоне ОЗУ главное добиться максимальной частоты

В общем и целом - нет, важен баланс между частотой и таймингами (то есть задержками при работе с памятью). В противном случае может оказаться так, что память при меньшей частоте и с меньшими задержками окажется лучше, чем при высокой частоте и с большими задержками:


Поэтому при разгоне пробуйте разные сочетания частот и таймингов (или возьмите лучшие из обзоров, только не забудьте их проверить memtest-ом).

11. Нельзя ставить вместе DDR3L и DDR3

Уже не самый актуальный миф, но все же DDR3 с арены до сих пор не ушла, так что имеет смысл про него рассказать. Так как выход DDR4 оказался достаточно затянутым, была придумана промежуточная память - DDR3L, основное нововведение в которой - возможность работы при более низких напряжениях, 1.35 В против 1.5 у обычной DDR3. И именно отсюда и идет миф - дескать если поставить их вместе, то DDR3L сгорит от 1.5 В.

Как я уже писал выше, у ОЗУ каждого стандарта есть свой диапазон безопасных напряжений, и 1.5 В - это нормальное значение для низковольтной памяти. Более того - раз JEDEC не стала менять сам слот, это еще раз говорит о том, что эти два подтипа памяти совместимы.

12. 64-битные версии Windows поддерживают любой объем ОЗУ

Разумеется, это не так: про то, что у Windows x86 есть ограничение в ~3.5 ГБ ОЗУ (если не говорить о PAE), знают многие, и если вычислить объем памяти, который можно адресовать в 64-битной системе, то цифра действительно кажется бесконечной - 16 миллионов терабайт. Но на практике все банальнее: так, Windows XP x64 поддерживает «лишь» 128 ГБ ОЗУ, Windows 7 - до 192, а Windows 8 и 10 - до 512 ГБ. Да, для пользовательского ПК это цифры крайне большие, но вот для серверов - уже давно нет, ну и уж тем более тут и близко нет миллионов терабайт.

Если вы знаете еще какие-либо мифы про ОЗУ - пишите про них в комментариях.

19.02.2013

Несмотря на то, что оверклокерская оперативная память с отменными характеристиками, оригинальными системами охлаждения и большим разгонным потенциалом доминирует на страницах профильных изданий, в реальных продажах значительно большую долю имеют обычные, недорогие модули. Мы решили проверить, на что способны эти скромные планки DDR3 в разгоне.

Kingston KVR16N11/4

Silicon Power SP004GBLTU160V02

Team Elite TED34G1600HC11BK

Transcend 640216-4610

Методика тестирования

Учитывая, что тестировать их на равных частотах бессмысленно, главной задачей данного теста было раскрытие скрытого потенциала с целью выявить лучший комплект модулей. Для этого мы пытались найти максимальную стабильную частоту работы при повышении напряжения до 1,65 вольта, то есть максимального безопасного уровня. Также мы попытались выяснить на каких минимальных таймингах способна работать память при своей номинальной частоте, которая для всех модулей составляет 1600 мегагерц. Ведь, как известно, базовые модули выставляются с запасом, и всегда есть вероятность получить чуть большую производительность снижая тайминги. Так же минимальных таймингов мы пытались добиться и на самой высокой достигнутой частоте.

Разгон

Если честно, то в глубине души мы надеялись на то, что хоть одна пара моделей достигнет заветной планки в 2000 мегагерц, но эти надежды разбились о суровую действительность. Тем не менее, назвать результаты “огорчающими” нельзя, так как три из четырех решений отлично работали на частоте 1866 мегагерц. И только модули от Transcend совершенно отказались делать этот шаг, так и оставшись на уровне 1600 мегагерц. Обидно. Тройка лучших после повышения частоты начала бороться за минимальные тайминги, чтобы выявить однозначного лидера. Им оказались модули производства Silicon Power, которые при повышенной частоте смогли стабильно работать на великолепных таймингах 8-9-8-24. Это вполне достойный показатель не только для бюджетной, но и для оверклокерской памяти. А вот модулям Team Elite и Kingston такое повышение не далось малой кровью, и функционировать они смогли лишь на таймингах 12-12-12-32, что трудно назвать хорошим результатом. А модули Silicon Power, в итоге довершили разгром соперников, тем, что смогли работать при указанных таймингах и частоте на номинальном напряжении в 1,5 вольта, а не 1,65, как предполагалось по условиям теста. Однозначная и безоговорочная победа.

Тесты

Итак, результаты разгона ясны, но перед тем как переходить к заключению, давайте проверим, к каким результатам привело это повышение частот и снижение таймингов. Большое количество тестов использовать бессмысленно, так как большинство приложений практически не заметит такие изменения в конфигурации, да и потребность в пропускной способности памяти у каждого приложения разная, а потому мы решили обойтись синтетикой. AIDA 64 покажет нам какой прирост в чистой пропускной способности мы получили, и как изменились задержки. А PCMark 7, а точнее входящий в него тест Video Transcoding Downscaling оценит реальный эффект от этих изменений, так как именно к пропускной способности памяти он очень критичен.

Выводы

Назвать однозначного победителя теста несложно – это модули от Silicon Power, которые показали более чем достойные результаты, особенно это относится к минимальным таймингам. По своим характеристикам после разгона они оказались лучше чем большая часть оверклокерских решений одно- двухлетней давности. И это при вполне бюджетной цене. Такие модули мы, безусловно, рекомендуем к покупке.

Середняками, которые также не стоит списывать со счетов, стали Team Elite и Kingston. Причем их главным достоинством является возможность снизить тайминги на номинальных частотах. Это дает хороший эффект. Значительно лучший, чем повышенная частота при более высоких таймингах. Они также вполне достойны покупки… в том случае, если нет возможности купить Silicon Power.