Динамические оперативные запоминающие устройства. Модификации и типы озу

Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) являются неотъемлемой частью микропроцессорных систем различного назначения. ОЗУ делятся на два класса: статические и динамические. В статических ОЗУ запоминание информации производится на триггерах, а в динамических - на конденсаторах емкостью порядка 0,5 пФ. Длительность хранения информации в статических ОЗУ не ограничена, тогда как в динамических она ограничена временем саморазряда конденсатора, что требует специальных средств регенерации и дополнительных затрат времени на этот процесс.

Конструктивно любое ОЗУ состоит из двух блоков - матрицы запоминающих элементов и дешифратора адреса. По технологическим соображениям матрица чаще всего имеет двухкоординатную дешифрацию адреса - по строкам и столбцам. На рис. 9.45 показана матрица 16-битного статического ОЗУ. Матрица состоит из 16 ячеек памяти mem_i, схема которой приведена на рис. 9.46. Каждая ячейка памяти адресуется по входам X, Y путем выбора дешифраторами адресных линий по строкам АхО...АхЗ и по столбцам АуО...АуЗ (см. рис. 9.45) и подачи по выбранным линиям сигнала логической единицы. При этом в выбранной ячейке памяти срабатывает двухвходовой элемент И (U1), подготавливая цепи чтения-записи информации на входных DIO...DI3 или выходных DOO...D03 разрядных шинах. Разрешающим сигналом для выдачи адреса является CS (chip select - выбор кристалла), который подается на вход разрешения счетчика адреса (Addr_cnt) или такой же вход дешифраторов, подключенных к выходам счетчика.

При записи в ячейку памяти (см. рис. 9.46) на соответствующей разрядной шине устанавливается 1 или 0, на входе WR/RD" устанавливается сигнал 1 и после стробирования счетчика или дешифраторов адреса сигналом CS срабатывают элементы 2И U1, U2. Положительный перепад сигнала с элемента U2 поступает на тактовый вход D-триггера U4, в результате чего в нем записывается 1 или 0 в зависимости от уровня сигнала на его D-входе.

При чтении из ячейки памяти на входе WR/RD" устанавливается 0, при этом срабатывают элементы U1, U3, U5 и на вход РАЗРЕШЕНИЕ ВЫХОДА буферного элемента U6 поступает разрешающий сигнал, в результате чего сигнал с Q-выхода D-триггера передается на разрядную шину DOO...D03. Для проверки функционирования ячейки памяти используется генератор слова (рис. 9.47).

Современные запоминающие устройства статического типа отличаются высоким быстродействием и в микропроцессорных системах используются ограниченно из-за сравнительно высокой стоимости. В таких системах они используются только в качестве так называемой кэш-памяти . Cache (запас) обозначает быстродействующую буферную память между процессором и основной памятью, служащую для частичной компенсации разницы в скорости процессора и основной памяти - в нее заносятся наиболее часто используемые данные. Когда процессор первый раз обращается к ячейке памяти, ее содержимое параллельно копируется в кэш, и в случае повторного обращения может быть с гораздо большей скоростью из нее извлечено. При записи в память информация попадает в кэш и одновременно копируется в память (схема Write Through - прямая или сквозная запись) или копируется через некоторое время (схема Write Back - обратная запись). При обратной записи, называемой также буферизованной сквозной записью, информация копируется в память в первом же свободном такте, а при отложенной (Delayed Write) - когда для помещения в кэш нового значения не оказывается свободной области; при этом в основное ОЗУ вытесняются сравнительно редко используемые данные. Вторая схема более эффективна, но и более сложна за счет необходимости поддержания соответствия содержимого кэша и основной памяти.

Кэш-память состоит из области данных, разбитой на блоки (строки), которые являются элементарными единицами информации при работе кэша, и области признаков (tag), описывающей состояние строк (свободна, занята, помечена для дозаписи и т.п.). В основном используются две схемы организации кэша: с прямым отображением (direct mapped), когда каждый адрес памяти может кэшироваться только одной строкой (в этом случае номер строки определяется младшими разрядами адреса), и га-связный ассоциативный (ra-way associative), когда каждый адрес может кэшироваться несколькими строками. Ассоциативный кэш более сложен, однако позволяет более гибко кэшировать данные; наиболее распространены четырехсвязные системы кэширования.

Микропроцессоры 486 и выше имеют также внутренний (Internal) кэш объемом 8...16 Кбайт. Он также обозначается как Primary (первичный) или LI (Level I - первый уровень) в отличие от внешнего (External), расположенного на плате и обозначаемого Secondary (вторичный) или L2. В большинстве процессоров внутренний кэш работает по схеме с прямой записью, а в 486 (процессор Intel P24D и последние DX4-100, AMD DX4-120, 5х86) и Pentium он может работать и с отложенной записью. Последнее требует специальной поддержки со стороны системной платы, чтобы при обмене по DMA (прямое обращение к памяти устройств ввода-вывода) можно было поддерживать согласованность данных в памяти и внутреннем кэше. Процессоры Pentium Pro имеют также встроенный кэш второго уровня объемом 256 или 512 Кбайт.

В микропроцессорных системах в качестве ОЗУ чаще всего используются динамические ОЗУ с запоминающим конденсатором, которые отличаются большим многообразием. Приведем данные по наиболее распространенным типам таких ОЗУ .

В динамической памяти ячейки выполнены на основе областей с накоплением зарядов, занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении информации. При записи бита в такую ячейку в ней формируется электрический заряд, который сохраняется в течение нескольких миллисекунд; для постоянного сохранения заряда ячейки необходимо регенерировать (перезаписывать) ее содержимое. Ячейки микросхем динамической памяти также организованы в виде прямоугольной матрицы; при обращении к микросхеме на ее входы вначале подается адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe - строб адреса строки), затем, через некоторое время - адрес столбца, сопровождаемый сигналом CAS (Column Address Strobe - строб адреса столбца). При каждом обращении к отдельной ячейке регенерируются все ячейки выбранной строки, поэтому для полной регенерации матрицы достаточно перебрать адреса строк. Ячейки динамической памяти имеют сравнительно малое быстродействие (десятки - сотни наносекунд), но большую удельную плотность (порядка нескольких мегабайт на корпус) и меньшее энергопотребление.

Обычные ОЗУ называют часто асинхронными, так как установка адреса и подача управляющих сигналов могут выполняться в произвольные моменты времени, необходимо только соблюдение временных соотношений между этими сигналами. В них включены так называемые охранные интервалы, необходимые для установления сигналов. Существуют также синхронные виды памяти, получающие внешний синхросигнал, к импульсам которого жестко привязаны моменты подачи адресов и обмена данными; они позволяют более полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный доступ.

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM - динамическая память с быстрым страничным доступом), активно используется в последнее время. Память со страничным доступом отличается от обычной динамической памяти тем, что после выбора строки матрицы и удержания сигнала RAS допускает многократную установку адреса столбца, стробируемого сигналом CAS, а также быструю регенерацию по схеме "CAS прежде RAS". Первое позволяет ускорить блочные передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки матрицы, называемой в этой системе страницей, а второе - снизить затраты времени на регенерацию памяти.

EDO (Extended Data Out - расширенное время удержания данных на выходе) фактически представляют собой обычные микросхемы FPM, на выходе которых установлены регистры-защелки данных. При страничном обмене такие микросхемы работают в режиме простого конвейера: удерживают на выходах данных содержимое последней выбранной ячейки, в то время как на их входы уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет примерно на 15% по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных массивов данных. При случайной адресации такая память ничем не отличается от обычной.

BEDO (Burst EDO - EDO с блочным доступом) - память на основе EDO, работающая не одиночными, а пакетными циклами чтения/записи. Современные процессоры благодаря внутреннему и внешнему кэшированию команд и данных обмениваются с основной памятью преимущественно блоками слов максимальной ширины. При наличии памяти BEDO отпадает необходимость постоянной подачи последовательных адресов на входы микросхем с соблюдением необходимых временных задержек, до- " статочно стробировать переход к очередному слову отдельным сигналом.

SDRAM (Synchronous DRAM - синхронная динамическая память) - память с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной (FPM/EDO/BEDO). Кроме синхронного доступа, SDRAM использует внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка, что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом. SDRAM также поддерживает блочный обмен. Основное преимущество SDRAM состоит в поддержке последовательного доступа в синхронном режиме, где не требуется дополнительных тактов ожидания. При случайном доступе SDRAM работает практически с той же скоростью, что и FPM/EDO.

РВ SRAM (Pipelined Burst SRAM - статическая память с блочным конвейерным доступом) - разновидность синхронных SRAM с внутренней конвейеризацией, за счет которой примерно вдвое повышается скорость обмена блоками данных.

Кроме основного ОЗУ, устройством памяти снабжается и устройство отображения информации - видеодисплейная система. Такая память называется видеопамятью и располагается на плате видеоадаптера.

Видеопамять служит для хранения изображения. От ее объема зависит максимально возможное разрешение видеокарты - АхВхС, где А - количество точек по горизонтали, В - по вертикали, С- количество возможных цветов каждой точки. Например, для разрешения 640х480х16 достаточно иметь видеопамять 256 Кбайт, для 800х600х256 - 512 КБ, для 1024х768х65536 (другое обозначение - 1024x768x64k) - 2 Мбайт и т.д. Поскольку для хранения цветов отводится целое число разрядов, количество цветов всегда является целой степенью 2 (16 цветов - 4 разряда, 256 - 8 разрядов, 64k - 16 и т.д.).

В видеоадаптерах используются следующие типы видеопамяти.

FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic RAM - динамическое ОЗУ с быстрым страничным доступом) - основной тип видеопамяти, идентичный используемой в системных платах. Активно применялась до 1996 г. Наиболее распространенные микросхемы FPM DRAM - четырехразрядные DIP и SOJ, а также шестнадцатиразрядные SOJ.

VRAM (Video RAM - видео-ОЗУ) - так называемая двухпортовая DRAM с поддержкой одновременного доступа со стороны видеопроцессора и центрального процессора компьютера. Позволяет совмещать во времени вывод изображения на экран и его обработку в видеопамяти, что сокращает задержки и увеличивает скорость работы.

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM - динамическое ОЗУ с расширенным временем удержания данных на выходе) - память с элементами конвейеризации, позволяющей несколько ускорить обмен блоками данных с видеопамятью.

SGRAM (Synchronous Graphics RAM - синхронное графическое ОЗУ) - вариант DRAM с синхронным доступом, когда все управляющие сигналы изменяются одновременно с системным тактовым синхросигналом, что позволяет уменьшить временные задержки.

WRAM (Window RAM - оконное ОЗУ) - EDO VRAM, в котором окно, через который обращается видеоконтроллер, сделано меньшим, чем окно для центрального процессора.

MDRAM (Multibank DRAM - многобанковое ОЗУ) - вариант DRAM, организованный в виде множества независимых банков объемом по 32 Кбайт каждый, работающих в конвейерном режиме.

Увеличение скорости обращения видеопроцессора к видеопамяти, кроме повышения пропускной способности адаптера, позволяет повысить максимальную частоту регенерации изображения, что снижает утомляемость глаз оператора.

Микросхемы памяти имеют четыре основные характеристики - тип, объем, структуру и время доступа. Тип обозначает статическую или динамическую память, объем показывает общую емкость памяти, а структура - количество ячеек памяти и разрядность каждой ячейки. Например, 28/32-выводные DIP-микросхемы SRAM имеют 8-разрядную структуру (8kx8, 16kx8, 32kx8, 64kx8, 128kx8), кэш объемом 256 Кбайт состоит из восьми микросхем 32kx8 или четырех микросхем 64kx8 (речь идет об области данных, дополнительные микросхемы для хранения признаков могут иметь другую структуру). Две микросхемы по 128kx8 поставить уже нельзя, так как нужна 32-разрядная шина данных, что могут обеспечить только четыре микросхемы. Распространенные РВ SRAM в 100-выводных корпусах PQFP имеют 32-разрядную структуру 32kx32 или 64kx32 и используются по две или по четыре в платах для Pentium.

30-контактные SIMM имеют 8-разрядную структуру и используются с процессорами 286, 386SX и 486SLC по две, а с 386DX, 486DLC и обычными 486DX - по четыре. 72-контактные SIMM имеют 32-разрядную структуру и могут использоваться с 486DX по одной, а с Pentium и Pentium Pro - по две. 168-контактные DIMM имеют 64-разрядную структуры и используются в Pentium и Pentium Pro по одной. Установка модулей памяти или микросхем кэша в количестве больше минимального для данной системной (материнской) платы позволяет ускорить работу с ними, используя принцип чередования (Interleave).

Время доступа характеризует скорость работы микросхемы и обычно указывается в наносекундах после тире в конце наименования. На более медленных микросхемах могут указываться только первые цифры (-7 вместо -70, -15 вместо -150), на более быстрых статических "-15" или "-20" обозначает реальное время доступа к ячейке. Часто на микросхемах указывается минимальное из всех возможных времен доступа, например, распространена маркировка 50 EDO DRAM вместо 70, или 45 - вместо 60, хотя такой цикл достижим только в блочном режиме, а в одиночном режиме микросхема по-прежнему имеет время доступа 70 или 60 нс. Аналогичная ситуация имеет место в маркировке РВ SRAM: 6 вместо 12, и 7 вместо 15. Микросхемы SDRAM обычно маркируются временем доступа в блочном режиме (10 или 12 нс).

ИМС памяти реализуются в корпусах следующих типов.

DIP (Dual In line Package - корпус с двумя рядами выводов) - классические микросхемы, применявшиеся в блоках основной памяти IBM PC/XT и ранних PC/AT, сейчас применяются в блоках кэш-памяти.

SIP (Single In line Package - корпус с одним рядом выводов) - микросхема с одним рядом выводов, устанавливаемая вертикально.

SIPP (Single In line Pinned Package - модуль с одним рядом игольчатых выводов) - модуль памяти, вставляемый в панель наподобие микросхем DIP/SIP; применялся в ранних IBM PC/AT.

SIMM (Single In line Memory Module - модуль памяти с одним рядом контактов) - модуль памяти, вставляемый в зажимный разъем; применяется во всех современных платах, а также во многих адаптерах, принтерах и прочих устройствах. SIMM имеет контакты с двух сторон модуля, но все они соединены между собой, образуя как бы один ряд контактов. На SIMM в настоящее время устанавливаются преимущественно микросхемы FPM/EDO/BEDO.

DIMM (Dual In line Memory Module - модуль памяти с двумя рядами контактов) - модуль памяти, похожий на SIMM, но с раздельными контактами (обычно 2х84), за счет чего увеличивается разрядность или число банков памяти в модуле. Применяется в основном в компьютерах Apple и новых платах Р5 и Р6. На DIMM устанавливаются микросхемы EDO/BEDO/SDRAM.

CELP (Card Egde Low Profile - невысокая карта с ножевым разъемом на краю) - модуль внешней кэш-памяти, собранный на микросхемах SRAM (асинхронный) или РВ SRAM (синхронный). По внешнему виду похож на 72-контактный SIMM, имеет емкость 256 или 512 Кбайт. Другое название - COAST (Cache On A STick - буквально "кэш на палочке").

Модули динамической памяти кроме основных ячеек памяти могут иметь дополнительные ячейки для хранения битов четности (Parity) для байтов данных; такие SIMM иногда называют 9- и 36-разрядными модулями (по одному биту четности на байт данных). Биты четности служат для контроля правильности считывания данных из модуля, позволяя обнаружить часть ошибок (см. разд. 9.7). Модули с битами четности имеет смысл применять лишь там, где нужна очень высокая надежность. Для обычных применений подходят и тщательно проверенные модули без битов четности, однако при условии, что системная плата поддерживает такие типы модулей.

Проще всего определить тип модуля по маркировке и количеству микросхем памяти на нем: например, если на 30-контактном SIMM две микросхемы одного типа и еще одна - другого, то две первых являются основными (каждая - по четыре разряда), а третья предназначена для хранения битов четности (она одноразрядная).

В 72-контактном SIMM с двенадцатью микросхемами восемь из них хранят данные, а четыре - биты четности. Модули с количеством микросхем 2, 4 или 8 не имеют памяти для хранения битов четности.

Иногда на модули ставится так называемый имитатор четности - микросхема-сумматор, выдающая при считывании ячейки всегда правильный бит четности. В основном это предназначено для установки таких модулей в платы, где проверка четности не отключается.

72-контактные SIMM имеют четыре специальных линии PD (Presence Detect - обнаружение наличия), на которых при помощи перемычек может быть установлено до 16 комбинаций сигналов. Линии PD используются в некоторых материнских платах для определения наличия модулей памяти в разъемах и их параметров (объема и быстродействия). В большинстве универсальных плат производства "третьих фирм", как и выпускаемые ими SIMM, линии PD не используются.

В модулях DIMM в соответствии со спецификацией JEDEC технология PD реализуется при помощи перезаписываемого ПЗУ с последовательным доступом (Serial EEPROM) и носит название Serial Presence Detect (SPD). ПЗУ представляет собой 8-выводную микросхему, размещенную в углу платы DIMM, а его содержимое описывает конфигурацию и параметры модуля. Системные платы с набором микросхем (чипсетами) 440LX/BX могут использовать SPD для настройки системы управления памятью. Некоторые системные платы могут обходиться без SPD, определяя конфигурацию модулей обычным путем.

Контрольные вопросы и задания

1. Какие типы памяти существуют?

2. Проведите моделирование ячейки статической памяти на рис. 9.46. Задачей моделирования является выбор двоичных комбинаций для сигналов на входе ячейки и регистрация результата на выходе ячейки с помощью индикатора IND.

3. На базе схемы на рис. 9.45 разработайте схему четырехразрядного ОЗУ с применением генератора слова. При этом в схеме на рис. 9.45 используйте только 4 младших адреса (два по строкам и два по столбцам) и соответственно только две шины данных (две входные и две выходные). К выходным шинам подключите индикаторы.

4. Где в современных компьютерах используется память статического типа?

5. Чем отличается динамическая память от статической?

6. Какие типы динамической памяти используются в современных компьютерах?

7. Что такое видеопамять и как она связана с характеристиками отображаемой на дисплее информации?

8. Какие типы памяти используются в качестве видеопамяти?

9. Какое конструктивное оформление имеют микросхемы памяти?

ДИНАМИЧЕСКОЕ ОЗУ

Микросхема быстродействующей оперативной памяти ПК, которая отличается

тем, что теряет свое содержимое, если не считывается в течение 2-х миллисекунд.

Микросхемы организованы в виде квадратной матрицы, пересечение каждого столбца и строки которой задает адрес соответствующих элементарных ячеек. Считывание адреса строки происходит, когда на вход матрицы подается импульс строки, а считывание адреса столбца - при подаче импульса столбца. Адреса строки и столбца передаются по специальной мультиплексированной шине адреса MA (Multiplexed Address). Динамическая память выполняется в вариантах синхронном и асинхронном. В последнем случае установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных

могут выполняться в произвольные моменты времени.

ТИПЫ ДИНАМИЧЕСКИХ ОЗУ

FPU DRAH "Динамическое ОЗУ с быстрым страничным доступом": основной вид видеопамяти, идентичный применяемой в системных платах. Использует асинхронный (произвольный) доступ к ячейкам хранения данных, при котором управляющие сигналы жестко не привязаны к тактовой частоте системы.

EDO DRAH/RAH "ОЗУ с увеличенным временем доступности данных": микросхема динамической памяти, которая отличается от обычных динамических ОЗУ. Техническое обеспечение автоматизированных систем повышенной возможностью работы в так называемом страничном режиме (связанном с сокращением числа тактов при выборке смежных слов текста). В результате этого производительность машины возрастает (примерно на 5%). Используется в качестве основной памяти ПК на базе микропроцессоров Pentium и Pentium Pro, а также в видеокартах при частоте шины 40-50 МГц. Максимальная пропускная способность порядка 105 Мбайт/с.

DDR SDRAM "Синхронное динамическое ОЗУ с удвоенной скоростью передачи данных" или "Расширенное синхронное динамическое ОЗУ" отличается от SDRAH тем, что к последней добавлено небольшое статическое ЗУ, выполняющее функции кэш-памяти. Использование дополнительного кэша позволяет снизить временные задержки и достичь пиковой частоты операций в 200 МГц. Цель такого кэширования хранить данные, к которым происходит частое обращение, и минимизировать обращение к более медленной DRAM. Пропускная способность и скорость работы такой комбинации увеличивается вдвое также за счет того, что при обмене данными между SRAM-кэшем и собственно DRAM может быть

использована шина большей ширины, чем между SRAM-кэшем и контроллером

DRAM. Наибольшую популярность этот вид развивающейся памяти получил при производстве графических ускорителей.

FB-DIMM"Полностью буферизованная память" обеспечивает повышение производительности ОЗУ за счет использования технологии двухканального доступа. Необходимость этого типа памяти возникла в связи с сокращением количества модулей, которые можно посадить на один контроллер северного моста микропроцессора.

VRAH "Видео ОЗУ" или "Видеопамять": быстродействующая оперативная память ЭВМ, являющаяся результатом развития динамических ОЗУ для графической подсистемы ЭВМ и ее мультимедийных приложений. Иногда ее называют также "двухпортовая DRAM". Отличается от обычных схем динамического ОЗУ (DRAH) возможностью одновременного выполнения операций записи и считывания данных за счет наличия двух входов (портов), чем обеспечивается существенное (примерно в два раза) повышение производительности системы. Используется в графических адаптерах. Ее параметры: частота пропускания шины 25-33 МГц, максимальная пропускная способность 120 Мбайт/с. VRAM является одним из наиболее дорогих видов памяти.

Динамической памяти в вычислительной машине значительно больше, чем стати­ческой, поскольку именно DRAM используется в качестве основной памяти ВМ. Как и SRAM, динамическая память состоит из ядра (массива ЗЭ) и интерфейсной логики (буферных регистров, усилителей чтения данных, схемы регенерации и др.). Хотя количество видов DRAM уже превысило два десятка, ядро у них организова­но практически одинаково. Главные различия связаны с интерфейсной логикой, причем различия эти обусловлены также и областью применения микросхем – помимо основной памяти ВМ, ИМС динамической памяти входят, например, в состав видеоадаптеров. Классификация микросхем динамической памяти пока­зана на рис. 72.

Чтобы оценить различия между видами DRAM, предварительно остановимся на алгоритме работы с динамической памятью. Для этого воспользуемся рис. 68.

В отличие от SRAM адрес ячейки DRAM передается в микросхему за два шага - вначале адрес столбца, а затем строки, что позволяет сократить количество выво­дов шины адреса примерно вдвое, уменьшить размеры корпуса и разместить на материнской плате большее количество микросхем. Это, разумеется, приводит к снижению быстродействия, так как для передачи адреса нужно вдвое больше вре­мени. Для указания, какая именно часть адреса передается в определенный момент, служат два вспомогательных сигнала RAS и CAS. При обращении к ячейке памя­ти на шину адреса выставляется адрес строки. После стабилизации процессов на шине подается сигнал RAS и адрес записывается во внутренний регистр микро­схемы памяти. Затем на шину адреса выставляется адрес столбца и выдается сиг­нал CAS. В зависимости от состояния линии WE производится чтение данных из ячейки или их запись в ячейку (перед записью данные должны быть помещены на шину данных). Интервал между установкой адреса и выдачей сигнала RAS (или CAS) оговаривается техническими характеристиками микросхемы, но обычно ад­рес выставляется в одном такте системной шины, а управляющий сигнал - в сле­дующем. Таким образом, для чтения или записи одной ячейки динамического ОЗУ требуется пять тактов, в которых происходит соответственно: выдача адреса строки, выдача сигнала RAS, выдача адреса столбца, выдача сигнала CAS, выполнение операции чтения/записи (в статической памяти процедура занимает лишь от двух до трех тактов).

Рис. 72. Классификация динамических ОЗУ: а) – микросхемы для основной памяти; б) – микросхемы для видеоадаптеров.

Следует также помнить о необходимости регенерации данных. Но наряду с ес­тественным разрядом конденсатора ЗЭ со временем к потере заряда приводит так­же считывание данных из DRAM, поэтому после каждой операции чтения данные должны быть восстановлены. Это достигается за счет повторной записи тех же данных сразу после чтения. При считывании информации из одной ячейки факти­чески выдаются данные сразу всей выбранной строки, но используются только те, которые находятся в интересующем столбце, а все остальные игнорируются. Та­ким образом, операция чтения из одной ячейки приводит к разрушению данных всей строки, и их нужно восстанавливать. Регенерация данных после чтения выполняется автоматически интерфейсной логикой микросхемы, и происходит это сразу же после считывания строки.

Теперь рассмотрим различные типы микросхем динамической памяти, начнем с системных DRAM, то есть микросхем, предназначенных для использования в ка­честве основной памяти. На начальном этапе это были микросхемы асинхронной памяти, работа которых не привязана жестко к тактовым импульсам системной шины.

Асинхронные динамические ОЗУ. Микросхемы асинхронных динамических ОЗУ управляются сигналами RAS и CAS, и их работа в принципе не связана непосред­ственно тактовыми импульсами шины. Асинхронной памяти свойственны допол­нительные затраты времени на взаимодействие микросхем памяти и контроллера. Так, в асинхронной схеме сигнал RAS будет сформирован только после поступле­ния в контроллер тактирующего импульса и будет воспринят микросхемой памя­ти через некоторое время. После этого память выдаст данные, но контроллер сможет их считать только по приходу следующего тактирующего импульса, так как он должен работать синхронно с остальными устройствами ВМ. Таким образом, на протяжении цикла чтения/записи происходят небольшие задержки из-за ожида­ния памятью контроллера и контроллером памяти.

Микросхемы DRAM. В первых микросхемах динамической памяти применялся наиболее простой способ обмена данными, часто называемый традиционным (con­ventional). Он позволял считывать и записывать строку памяти только на каждый пятый такт. Этапы такой процедуры были описаны ранее. Традици­онной DRAM соответствует формула 5-5-5-5. Микросхемы данного типа могли работать на частотах до 40 МГц и из-за своей медлительности (время доступа со­ставляло около 120 нс) просуществовали недолго.

Микросхемы FPMDRAM. Микросхемы динамического ОЗУ, реализующие ре­жим FPM, также относятся к ранним типам DRAM. Сущность режима была пока­зана ранее. Схема чтения для FPM DRAM описывается формулой 5-3-3-3 (всего 14 тактов). Применение схемы быстрого страничного доступа по­зволило сократить время доступа до 60 нс, что, с учетом возможности работать на более высоких частотах шины, привело к увеличению производительности памя­ти по сравнению с традиционной DRAM приблизительно на 70%. Данный тип микросхем применялся в персональных компьютерах примерно до 1994 года.

Микросхемы EDO DRAM. Следующим этапом в развитии динамических ОЗУ стали ИМС с гиперстраничным режимом доступа (НРМ, Hyper Page Mode), бо­лее известные как EDO (Extended Data Output - расширенное время удержания данных на выходе). Главная особенность технологии - увеличенное по сравне­нию с FPM DRAM время доступности данных на выходе микросхемы. В микро­схемах FPM DRAM выходные данные остаются действительными только при ак­тивном сигнале CAS, из-за чего во втором и последующих доступах к строке нужно три такта: такт переключения CAS в активное состояние, такт считывания данных и такт переключения CAS в неактивное состояние. В EDO DRAM по активному (спадающему) фронту сигнала CAS данные запоминаются во внутреннем регистре, где хранятся еще некоторое время после того, как поступит следующий активный фронт сигнала. Это позволяет использовать хранимые данные, когда CAS уже переведен в неактивное состояние. Иными словами, временные пара­метры улучшаются за счет исключения циклов ожидания момента стабилизации данных на выходе микросхемы.

Схема чтения у EDO DRAM уже 5-2-2-2, что на 20% быстрее, чем у FPM. Вре­мя доступа составляет порядка 30-40 нс. Следует отметить, что максимальная ча­стота системной шины для микросхем EDO DRAM не должна была превышать 66 МГц.

Микросхемы BEDO DRAM. Технология EDO была усовершенствована компа­нией VIA Technologies. Новая модификация EDO известна как BEDO (Burst EDO - пакетная EDO). Новизна метода в том, что при первом обращении считы­вается вся строка микросхемы, в которую входят последовательные слова пакета. За последовательной пересылкой слов (переключением столбцов) автоматически следит внутренний счетчик микросхемы. Это исключает необходимость выдавать адреса для всех ячеек пакета, но требует поддержки со стороны внешней логики. Способ позволяет сократить время считывания второго и последующих слов еще на один такт, благодаря чему формула приобретает вид 5-1-1-1.

Микросхемы EDRAM. Более быстрая версия DRAM была разработана подраз­делением фирмы Ramtron - компанией Enhanced Memory Systems. Технология реализована в вариантах FPM, EDO и BEDO. У микросхемы более быстрое ядро и внутренняя кэш-память. Наличие последней - главная особенность технологии. В роли кэш-памяти выступает статическая память (SRAM) емкостью 2048 бит. Ядро EDRAM имеет 2048 столбцов, каждый из которых соединен с внутренней кэш-памятью. При обращении к какой-либо ячейке одновременно считывается целая строка (2048 бит). Считанная строка заносится в SRAM, причем перенос информации в кэш-память практически не сказывается на быстродействии, по­скольку происходит за один такт. При дальнейших обращениях к ячейкам, отно­сящимся к той же строке, данные берутся из более быстрой кэш-памяти. Следую­щее обращение к ядру происходит при доступе к ячейке, не расположенной в строке, хранимой в кэш-памяти микросхемы.

Технология наиболее эффективна при последовательном чтении, то есть когда среднее время доступа для микросхемы приближается к значениям, характерным для статической памяти (порядка 10 нс). Главная сложность состоит в несовмес­тимости с контроллерами, используемыми при работе с другими видами DRAM.

Синхронные динамические ОЗУ. В синхронных DRAM обмен информацией син­хронизируется внешними тактовыми сигналами и происходит в строго определен­ные моменты времени, что позволяет взять все от пропускной способности шины «процессор-память» и избежать циклов ожидания. Адресная и управляющая ин­формация фиксируются в ИМС памяти. После чего ответная реакция микросхе­мы произойдет через четко определенное число тактовых импульсов, и это время процессор может использовать для других действий, не связанных с обращением к памяти. В случае синхронной динамической памяти вместо продолжительности цикла доступа говорят о минимально допустимом периоде тактовой частоты, и речь уже идет о времени порядка 8-10 нс.

Микросхемы SDRAM. Аббревиатура SDRAM (Synchronous DRAM - синхрон­ная DRAM) используется для обозначения микросхем «обычных» синхронных динамических ОЗУ. Кардинальные отличия SDRAM от рассмотренных выше асин­хронных динамических ОЗУ можно свести к четырем положениям:

· синхронный метод передачи данных на шину;

· конвейерный механизм пересылки пакета;

· применение нескольких (двух или четырех) внутренних банков памяти;

· передача части функций контроллера памяти логике самой микросхемы.

Синхронность памяти позволяет контроллеру памяти «знать» моменты готов­ности данных, за счет чего снижаются издержки циклов ожидания и поиска дан­ных. Так как данные появляются на выходе ИМС одновременно с тактовыми им­пульсами, упрощается взаимодействие памяти с другими устройствами ВМ.

В отличие от BEDO конвейер позволяет передавать данные пакета по тактам, благодаря чему ОЗУ может работать бесперебойно на более высоких частотах, чем асинхронные ОЗУ. Преимущества конвейера особенно возрастают при передаче длинных пакетов, но не превышающих длину строки микросхемы.

Значительный эффект дает разбиение всей совокупности ячеек на независи­мые внутренние массивы (банки). Это позволяет совмещать доступ к ячейке одного банка с подготовкой к следующей операции в остальных банках (перезарядкой управляющих цепей и восстановлением информации). Возможность держать открытыми одновременно несколько строк памяти (из разных банков) также спо­собствует повышению быстродействия памяти. При поочередном доступе к бан­кам частота обращения к каждому из них в отдельности уменьшается пропор­ционально числу банков и SDRAM может работать на более высоких частотах. Благодаря встроенному счетчику адресов SDRAM, как и BEDO DRAM, позволя­ет производить чтение и запись в пакетном режиме, причем в SDRAM длина паке­та варьируется и в пакетном режиме есть возможность чтения целой строки памя­ти. ИМС может быть охарактеризована формулой 5-1-1-1. Несмотря на то, что формула для этого типа динамической памяти такая же, что и у BEDO, способ­ность работать на более высоких частотах приводит к тому, что SDRAM с двумя банками при тактовой частоте шины 100 МГц по производительности может по­чти вдвое превосходить память типа BEDO.

Микросхемы DDR SDRAM. Важным этапом в дальнейшем развитии техноло­гии SDRAM стала DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM - SDRAM с удвоен­ной скоростью передачи данных). В отличие от SDRAM новая модификация вы­дает данные в пакетном режиме по обоим фронтам импульса синхронизации, за счет чего пропускная способность возрастает вдвое. Существует несколько специ­фикаций DDR SDRAM, в зависимости от тактовой частоты системной шины: DDR266, DDR333, DDR400, DDR533. Так, пиковая пропускная способность мик­росхемы памяти спецификации DDR333 составляет 2,7 Гбайт/с, а для DDR400 - 3,2 Гбайт/с. DDR SDRAM в настоящее время является наиболее распространен­ным типом динамической памяти персональных ВМ.

Микросхемы RDRAM, DRDRAM. Наиболее очевидные способы повышения эффективности работы процессора с памятью - увеличение тактовой частоты шины либо ширины выборки (количества одновременно пересылаемых разрядов). К сожалению, попытки совмещения обоих вариантов наталкиваются на существен­ные технические трудности (с повышением частоты усугубляются проблемы элек­тромагнитной совместимости, труднее становится обеспечить одновременность поступления потребителю всех параллельно пересылаемых битов информации). В большинстве синхронных DRAM (SDRAM, DDR) применяется широкая вы­борка (64 бита) при ограниченной частоте шины.

Принципиально отличный подход к построению DRAM был предложен ком­панией Rambus в 1997 году. В нем упор сделан на повышение тактовой частоты до 400 МГц при одновременном уменьшении ширины выборки до 16 бит. Новая па­мять известна как RDRAM (Rambus Direct RAM). Существует несколько разно­видностей этой технологии: Base, Concurrent и Direct. Во всех тактирование ведется по обоим фронтам синхросигналов (как в DDR), благодаря чему результирующая частота составляет соответственно 500-600, 600-700 и 800 МГц. Два первых ва­рианта практически идентичны, а вот изменения в технологии Direct Rambus (DRDRAM) весьма значительны.

Сначала остановимся на принципиальных моментах технологии RDRAM, ори­ентируясь в основном на более современный вариант - DRDRAM. Главным от­личием от других типов DRAM является оригинальная система обмена данными между ядром и контроллером памяти, в основе которой лежит так называемый «канал Rambus», применяющий асинхронный блочно-ориентированный протокол. На логическом уровне информация между контроллером и памятью передается пакетами.

Различают три вида пакетов: пакеты данных, пакеты строк и пакеты столбцов. Пакеты строк и столбцов служат для передачи от контроллера памяти команд уп­равления соответственно линиями строк и столбцов массива запоминающих эле­ментов. Эти команды заменяют обычную систему управления микросхемой с по­мощью сигналов RAS, CAS, WE и CS.

Массив ЗЭ разбит на банки. Их число в кристалле емкостью 64 Мбит составля­ет 8 независимых или 16 сдвоенных банков. В сдвоенных банка^ пара банков ис­пользует общие усилители чтения/записи. Внутреннее ядро микросхемы имеет 128-разрядную шину данных, что позволяет по каждому адресу столбца переда­вать 16 байт. При записи можно использовать маску, в которой каждый бит соот­ветствует одному байту пакета. С помощью маски можно указать, сколько байтов пакета и какие именно должны быть записаны в память.

Линии данных, строк и столбцов в канале полностью независимы, поэтому ко­манды строк, команды столбцов и данные могут передаваться одновременно, при­чем для разных банков микросхемы. Пакеты столбцов включают в себя по два поля и передаются по пяти линиям. Первое поле задает основную операцию записи или чтения. Во втором поле находится либо указание на использование маски записи (собственно маска передается по линиям данных), либо расширенный код опера­ции, определяющий вариант для основной операции. Пакеты строк подразделя­ются на пакеты активации, отмены, регенерации и команды переключения режи­мов энергопотребления. Для передачи пакетов строк выделены три линии.

Операция записи может следовать сразу за чтением - нужна лишь задержка на время прохождения сигнала по каналу (от 2,5 до 30 нс в зависимости от длины канала). Чтобы выровнять задержки в передаче отдельных битов передаваемого кода, проводники на плате должны располагаться строго параллельно, иметь оди­наковую длину (длина линий не должна превышать 12 см) и отвечать строгим тре­бованиям, определенным разработчиком.

Каждая запись в канале может быть конвейеризирована, причем время задерж­ки первого пакета данных составляет 50 нс, а остальные операции чтения/записи осуществляются непрерывно (задержка вносится только при смене операции с за­писи на чтение, и наоборот).

В имеющихся публикациях упоминается работа Intel и Rambus над новой вер­сией RDRAM, названной nDRAM, которая будет поддерживать передачу данных с частотами до 1600 МГц.

Микросхемы SLDRAM. Потенциальным конкурентом RDRAM на роль стандарта архитектуры памяти для будущих персональных ВМ выступает новый вид ди­намического ОЗУ, разработанный консорциумом производителей ВМ SyncLink Consortium и известный под аббревиатурой SLDRAM. В отличие от RDRAM, тех­нология которой является собственностью компаний Rambus и Intel, данный стан­дарт - открытый. На системном уровне технологии очень похожи. Данные и ко­манды от контроллера к памяти и обратно в SLDRAM передаются пакетами по 4 или 8 посылок. Команды, адрес и управляющие сигналы посылаются по однонап­равленной 10-разрядной командной шине. Считываемые и записываемые данные передаются по двунаправленной 18-разрядной шине данных. Обе шины работают на одинаковой частоте. Пока что еще эта частота равна 200 МГц, что, благодаря технике DDR, эквивалентно 400 МГц. Следующие поколения SLDRAM должны работать на частотах 400 МГц и выше, то есть обеспечивать эффективную частоту более 800 МГц.

К одному контроллеру можно подключить до 8 микросхем памяти. Чтобы из­бежать запаздывания сигналов от микросхем, более удаленных от контроллера, временные характеристики для каждой микросхемы определяются и заносятся в ее управляющий регистр при включении питания.

Микросхемы ESDRAM. Это синхронная версия EDRAM, в которой использу­ются те же приемы сокращения времени доступа. Операция записи в отличие от чтения происходит в обход кэш-памяти, что увеличивает производительность ESDRAM при возобновлении чтения из строки, уже находящейся в кэш-памяти. Благодаря наличию в микросхеме двух банков простои из-за подготовки к опера­циям чтения/записи сводятся к минимуму. Недостатки у рассматриваемой мик­росхемы те же, что и у EDRAM - усложнение контроллера, так как он должен.читывать возможность подготовки к чтению в кэш-память новой строки ядра. Кроме того, при произвольной последовательности адресов кэш-память задействуется неэффективно.

Микросхемы CDRAM. Данный тип ОЗУ разработан в корпорации Mitsubishi, и его можно рассматривать как пересмотренный вариант ESDRAM, свободный от некоторых ее несовершенств. Изменены емкость кэш-памяти и принцип размеще­ния в ней данных. Емкость одного блока, помещаемого в кэш-память, уменьшена до 128 бит, таким образом, в 16-килобитовом кэше можно одновременно хранить копии из 128 участков памяти, что позволяет эффективнее использовать кэш-па­мять. Замена первого помещенного в кэш участка памяти начинается только после заполнения последнего (128-го) блока. Изменению подверглись и средства доступа. Так, в микросхеме используются раздельные адресные шины для статического кэша и динамического ядра. Перенос данных из динамического ядра в кэш-память со­вмещен с выдачей данных на шину, поэтому частые, но короткие пересылки не снижают производительности ИМС при считывании из памяти больших объе­мов информации и уравнивают CDRAM с ESDRAM, а при чтении по выбо­рочным адресам CDRAM явно выигрывает. Необходимо, однако, отметить, что вышеперечисленные изменения привели к еще большему усложнению кон­троллера памяти.

Конец работы -

Эта тема принадлежит разделу:

Организация ЭВМ и систем

Сибирский государственный аэрокосмический университет.. имени академика м ф решетнева.. организация ЭВМ и систем..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Уровни детализации структуры вычислительной машины
Вычислительная машина как законченный объект являет собой плод усилий спе­циалистов в самых различных областях человеческих знаний. Каждый специалист рассматривает вычислительную ма

Эволюция средств автоматизации вычислений
Попытки облегчить, а в идеале автоматизировать процесс вычислений имеют давнюю историю, насчитывающую более 5000 лет. С развитием науки и технологий средства автоматизации вычислений непрерывно сов

Нулевое поколение (1492-1945)
Для полноты картины упомянем два события, произошедшие до нашей эры: пер­вые счеты - абак, изобретенные в древнем Вавилоне за 3000 лет до н. э., и их более «современный» вариант с к

Первое поколение(1937-1953)
На роль первой в истории электронной вычислительной машины в разные периоды претендовало несколько разработок. Общим у них было использование схем на базе электронно-вакуумных ламп

Второе поколение (1954-1962)
Второе поколение характеризуется рядом достижений в элементной базе, струк­туре и программном обеспечении. Принято считать, что поводом для выделения нового поколения ВМ стали техно

Третье поколение (1963-1972)
Третье поколение ознаменовалось резким увеличением вычислительной мощно­сти ВМ, ставшим следствием больших успехов в области архитектуры, технологии и программного обеспечения. Осно

Четвертое поколение (1972-1984)
Отсчет четвертого поколения обычно ведут с перехода на интегральные микро­схемы большой (large-scale integration, LSI) и сверхбольшой (very large-scale inte­gration, VLSI) степени и

Пятое поколение (1984-1990)
Главным поводом для выделения вычислительных систем второй половины 80-х го­дов в самостоятельное поколение стало стремительное развитие ВС с сотнями процессоров, ставшее побудитель

Концепция машины с хранимой в памяти программой
Исходя из целей данного раздела, введем новое определение термина «вычисли­тельная машина» как совокупности технических средств, служащих для автома­тизированной обработки дискретны

Принцип двоичного кодирования
Согласно этому принципу, вся информация, как данные, так и команды, кодиру­ются двоичными цифрами 0 и 1. Каждый тип информации представляется двоичной последовательностью и имеет св

Принцип программного управления
Все вычисления, предусмотренные алгоритмом решения задачи, должны быть пред­ставлены в виде программы, состоящей из последовательности управляющих слов - команд. Каждая команда пред

Принцип однородности памяти
Команды и данные хранятся в одной и той же памяти и внешне в памяти неразли­чимы. Распознать их можно только по способу использования. Это позволяет про­изводить над командами те же

Фон-неймановская архитектура
В статье фон Неймана определены основные устройства ВМ, с помощью которых должны быть реализованы вышеперечисленные принципы. Большинство совре­менных ВМ по своей структуре отвечают принципу програ

Структуры вычислительных машин
В настоящее время примерно одинаковое распространение получили два способа построения вычислительных машин: с непосредственными связями и на основе шины. Типичным представи

Структуры вычислительных систем
Понятие «вычислительная система» предполагает наличие множества процессо­ров или законченных вычислительных машин, при объединении которых исполь­зуется один из двух подходов.

Перспективные направления исследований в области архитектуры
Основные направления исследований в области архитектуры ВМ и ВС можно ус­ловно разделить на две группы: эволюционные и революционные. К первой груп­пе следует отнести исследования,

Понятие архитектуры системы команд
Системой команд вычислительной машины называют полный перечень команд, которые способна выполнять данная ВМ. В свою очередь, под архитектурой сис­темы команд (АСК) принято определят

Стековая архитектура
Стеком называется память, по своей структурной организации отличная от основной памяти ВМ. Принципы построения стековой памяти детально рассматриваются позже, здесь же выделим только те аспекты, ко

Аккумуляторная архитектура
Архитектура на базе аккумулятора исторически возникла одной из первых. В ней для хранения одного из операндов арифметической или логической операции в процессоре имеется выделенный регистр - аккуму

Регистровая архитектура
В машинах данного типа процессор включает в себя массив регистров (регистровый файл), известных как регистры общего назначения (РОН). Эти регистры, в каком-то смысле, можно рассматр

Архитектура с выделенным доступом к памяти
В архитектуре с выделенным доступом к памяти обращение к основной памяти возможно только с помощью двух специальных команд: load и store. В английской транскрипции данную архитектуру

Форматы команд
Типовая команда, в общем случае, должна указывать: · подлежащую выполнению операцию; · адреса исходных данных (операндов), над которыми выполняется операция; · адрес, по

Длина команды
Это важнейшее обстоятельство, влияющее на организацию и емкость памяти, структуру шин, сложность и быстродействие ЦП. С одной стороны, удобно иметь в распоряжении мощный набор команд, то есть как м

Разрядность адресной части
В адресной части команды содержится информация о местонахождении исходных данных и месте сохранения результата операции. Обычно местонахождение каждого из операндов и результата задается в команде

Количество адресов в команде
Для определения количества адресов, включаемых в адресную часть, будем использовать термин адресность. В «максимальном» варианте необходимо указать три компонента: адрес первого опе

Адресность и время выполнения программы
Время выполнения одной команды складывается из времени выполнения опера­ции и времени обращения к памяти. Для трехадресной команды последнее суммируется из четырех составля

Способы адресации операндов
Вопрос о том, каким образом в адресном поле команды может быть указано место­положение операндов, считается одним из центральных при разработке архитек­туры ВМ. С точки зрения сокра

Непосредственная адресация
При непосредственной адресации (НА) в адресном поле команды вместо адреса содержится непосредственно сам операнд (рис. 15). Этот способ может приме­няться при выполнении арифметичес

Прямая адресация
При прямой или абсолютной адресации (ПА) адресный код прямо указывает но­мер ячейки памяти, к которой производится обращение (рис. 22), то есть адресный код совпадает с исполнительн

Косвенная адресация
Одним из путей преодоления проблем, свойственных прямой адресации, может служить прием, когда с помощью ограниченного адресного поля команды указы­вается адрес ячейки, в свою очеред

Регистровая адресация
Регистровая адресация (РА) напоминает прямую адресацию. Различие состоит в том, что адресное поле инструкции указывает не на ячейку памяти, а на регистр процессора (рис. 24). Иденти

Косвенная регистровая адресация
Косвенная регистровая адресация (КРА) представляет собой косвенную адреса­цию, где исполнительный адрес операнда хранится не в ячейке основной памяти, а в регистре процессора. Соотв

Адресация со смещением
При адресации со смещением исполнительный адрес формируется в результате суммирования содержимого адресного поля команды с содержимым одного или нескольких регистров процессора (рис

Относительная адресация
При относительной адресации (ОА) для получения исполнительного адреса опе­ранда содержимое подполя Aк команды складывается с содержимым счетчика ко­манд (рис. 27). Таким

Базовая регистровая адресация
В случае базовой регистровой адресации (БРА) регистр, называемый базовым, со­держит полноразрядный адрес, а подполе Ас - смещение относительно этого ад­реса. Ссылка на ба

Индексная адресация
При индексной адресации (ИА) подполе Ас содержит адрес ячейки памяти, а ре­гистр (указанный явно или неявно) - смещение относительно этого адреса. Как видно, этот способ

Страничная адресация
Страничная адресация (СТА) предполагает разбиение адресного пространства на страницы. Страница определяется своим начальным адресом, выступающим в ка­честве базы. Старшая часть этог

Цикл команды
Программа в фон-неймановской ЭВМ реализуется центральным процессором (ЦП) посредством последовательного исполнения образующих эту программу команд. Действия, требуемые для выборки (

Основные показатели вычислительных машин
Использование конкретной вычислительной машины имеет смысл, если ее показатели соответствуют показателям, определяемым требованиями к реализации заданных алгоритмов. В качестве осно

Программная архитектура i80х86
Одним из наиболее распространенных процессоров общего назначения на данный момент являются процессоры с архитектурой x86 (Intel IA-32). Родоначальником семейства этих процессоров явился ЦП i8086. И

Сегмент кода
В сегменте кода обычно записываются команды микропроцессора, которые выполняются последовательно друг за другом. Для определения адреса следующей команды после выполнения предыдущей

Переменные в программе
Во всех остальных сегментах выделяется место для переменных, используемых в программе. Разделение на сегменты данных, сегмент стека и сегмент дополнительных данных связано с тем, чт

Сегмент стека
Для хранения временных значений, для которых нецелесообразно выделять переменные, предназначена специальная область памяти, называемая стеком. Для адресации такой области служит сег

Микропроцессор i8086
С точки зрения программиста микропроцессор представляется в виде набора регистров. Регистры предназначены для хранения некоторых данных и поэтому, в некотором смысле, они соответств

Доступ к ячейкам памяти
Как уже отмечалось, в состав любой микропроцессорной системы обязательно должна входить память, в которой располагаются программы и необходимые для их работы данные. Физическая и ло

Команды микропроцессора
Программа, работающая в микропроцессорной системе, в конечном виде представляет собой набор байтов, воспринимаемый микропроцессором как код той или иной команды вместе с соответству

Основные группы команд и их краткая характеристика
Для упрощения процесса программирования на языке ассемблера используется мнемоническая запись команд микропроцессора (обычно в виде сокращений английских слов, описывающих действия

Способы адресации в архитектуре i80x86
Рассмотренные выше способы адресации могут быть в полной мере применены при написании программы на языке ассемблера. Рассмотрим методы реализации наиболее часто применяющихся способ

Адресация ячеек памяти
Кроме регистров и констант в командах можно использовать ячейки памяти. Естественно, что они могут использоваться и как источник и как приемник данных. Более точно, в командах используется

Прямая адресация
При прямой адресации в команде указывается смещение, которое соответствует началу размещения в памяти соответствующего операнда. По умолчанию, при использовании упрощенных директив описания сегмент

Косвенная адресация
При косвенной адресации смещение соответствующего операнда в сегменте содержится в одном из регистров микропроцессора. Таким образом, текущее содержимое регистра микропроцессора определяет исполнит

Косвенная адресация по базе
При использовании косвенной адресации к содержимому регистра можно добавлять константу. В этом случае исполнительный адрес вычисляется как сумма содержимого соответствующего регистра и этой констан

Адресация по базе с индексированием
В микропроцессоре i8086 можно использовать также комбинацию косвенной индексной адресации и адресации по базе. Исполнительный адрес операнда определяется как сумма трех составляющих – содержимого д

Лабораторная работа. Программная архитектура процессора i8086
На языке ассемблера процессора i8086 с использованием любого удобного пакета (рекомендуется TASM) реализуйте следующие задачи: 1. Протабулировать функцию у

Структура взаимосвязей вычислительной машины
Совокупность трактов, объединяющих между собой основные устройства ВМ (цен­тральный процессор, память и модули ввода/вывода), образует структуру взаи­мосвязей вычислительной машины.

Типы шин
Важным критерием, определяющим характеристики шины, может служить ее це­левое назначение. По этому критерию можно выделить: · шины «процессор-память»; · шины ввода

Системная шина
С целью снижения стоимости некоторые ВМ имеют общую шину для памяти и устройств ввода/вывода. Такая шина часто называется системной. Системная шина служит для физического и логическ

Вычислительная машина с одной шиной
В структурах взаимосвязей с одной шиной имеется одна системная шина, обеспечивающая обмен информацией между процессором и памятью, а также между УВВ с одной стороны, и процессором л

Вычислительная машина с двумя видами шин
Хотя контроллеры устройств ввода/вывода (УВВ) могут быть подсоединены не­посредственно к системной шине, больший эффект достигается применением од­ной или нескольких шин ввода/вывод

Вычислительная машина с тремя видами шин
Для подключения быстродействующих периферийных устройств в систему шин может быть добавлена высокоскоростная шина расширения.

Механические аспекты
Основная шина, объединяющая устройства вычислительной машины, обычно размещается на так называемой объединительной или материнской плате. Шину образуют тонкие параллельные медные по

Электрические аспекты
Все устройства, использующие шину, электрически подсоединены к ее сигналь­ным линиям, представляющим собой электрические проводники. Меняя уровни напряжения на сигнальных линиях, ве

Распределение линий шины
Любая транзакция на шине начинается с выставления ведущим устройством ад­ресной информации. Адрес позволяет выбрать ведомое устройство и установить соединение между ним и ведущим. Д

Выделенные и мультиплексируемые линии
В некоторых ВМ линии адреса и данных объединены в единую мультиплексируемую шину адреса/данных. Такая шина функционирует в режиме разделения времени, по­скольку цикл шины разбит на

Схемы приоритетов
Каждому потенциальному ведущему присваивается определенный уровень прио­ритета, который может оставаться неизменным (статический или фиксированный приоритет) либо изменяться по како

Схемы арбитража
Арбитраж запросов на управление шиной может быть организован по централизо­ванной или децентрализованной схеме. Выбор конкретной схемы зависит от тре­бований к производительности и

Интерфейс PCI
Доминирующее положение на рынке ПК достаточное длительное время занимали системы на основе шины PCI (Peripheral Component Interconnect – Взаимодействие периферийных компонентов). Эт

Порт AGP
С повсеместным внедрением технологий мультимедиа пропускной способности шины PCI стало не хватать для производительной работы видеокарты. Чтобы не менять сложившийся стандарт на шин

PCI Express
Интерфейс PCI Express (первоначальное название - 3GIO) использует концепцию PCI, однако физическая их реализация кардинально отличается. На физическом уровне PCI Express представляе

Локализация данных
Под локализацией данных будем понимать возможность обращения к одному из ВУ, а также адресации данных на нем. Адрес ВУ обычно содержится в адресной части команд ввода/вывод

Управление и синхронизация
Функция управления и синхронизации заключается в том, что МВВ должен коор­динировать перемещение данных между внутренними ресурсами ВМ и внешними устройствами. При разработке систем

Обмен информацией
Основной функцией МВВ является обеспечение обмена информацией. Со сторо­ны «большого» интерфейса - это обмен с ЦП, а со стороны «малого» интерфей­са - обмен с ВУ. В таком плане треб

Система прерываний и исключений в архитектуре IA-32
Прерывания и исключения - это события, которые указывают на возникновение в системе или в выполняемой в данный момент задаче определенных условий, требующих вмешательства процессора

Расширенный программируемый контроллер прерываний (APIC)
Микропроцессоры IA-32, начиная с модели Pentium, содержат встроенный расширенный программируемый контроллер прерываний (APIC). Встроенный APIC предназначен для регистрирования преры

Конвейеризация вычислений
Совершенствование элементной базы уже не приводит к кардинальному росту производительности ВМ. Более перспективными в этом плане представляются архитектурные приемы, среди которых о

Синхронные линейные конвейеры
Эффективность синхронного конвейера во многом зависит от правильного выбо­ра длительности тактового периода Тк. Минимально допустимую Тк можно опре­делить как

Метрики эффективности конвейеров
Чтобы охарактеризовать эффект, достигаемый за счет конвейеризации вычисле­ний, обычно используют три метрики: ускорение, эффективность и производитель­ность. Под ускорен

Нелинейные конвейеры
Конвейер не всегда представляет собой линейную цепочку этапов. В ряде ситуа­ций оказывается выгодным, когда функциональные блоки соединены между со­бой не последовательно, а в соотв

Конвейер команд
Идея конвейера команд была предложена в 1956 году академиком С. А. Лебедевым. Как известно, цикл команды представляет собой последовательность этапов. Возложив реализацию каждого из

Конфликты в конвейере команд
Полученное в примере число 14 характеризует лишь потенциальную производительность конвейера команд, На практике в силу возникающих в конвейере конфликтных ситуаций достичь такой про

Методы решения проблемы условного перехода
Несмотря на важность аспекта вычисления исполнительного адреса точки пере­хода, основные усилия проектировщиков ВМ направлены на решение проблемы условных переходов, поскольку именн

Предсказание переходов
Предсказание переходов на сегодняшний день рассматривается как один из наибо­лее эффективных способов борьбы с конфликтами по управлению. Идея заключа­ется в том, что еще до момента

Статическое предсказание переходов
Статическое предсказание переходов осуществляется на основе некоторой апри­орной информации о подлежащей выполнению программе. Предсказание делает­ся на этапе компиляции программы и

Динамическое предсказание переходов
В динамических стратегиях решение о наиболее вероятном исходе команды УП принимается в ходе вычислений, исходя из информации о предшествующих пере­ходах (истории переходов), собирае

Суперконвейерные процессоры
Эффективность конвейера находится в прямой зависимости от того, с какой час­тотой на его вход подаются объекты обработки. Добиться n-кратного увеличения темпа работы конвейера можно

Архитектуры с полным и сокращенным набором команд
Современная технология программирования ориентирована на языки высокого уровня (ЯВУ), главная задача которых - облегчить процесс написания программ. Более 90% всего процесса програм

Основные черты RISC-архитектуры
Главные усилия в архитектуре RISC направлены на построение максимально эф­фективного конвейера команд, то есть такого, где все команды извлекаются из па­мяти и поступают в ЦП на обр

Преимущества и недостатки RISC
Сравнивая достоинства и недостатки CISC и RISC, невозможно сделать однознач­ный вывод о неоспоримом преимуществе одной архитектуры над другой. Для от­дельных сфер использования ВМ л

Суперскалярные процессоры
Поскольку возможности по совершенствованию элементной базы уже практичес­ки исчерпаны, дальнейшее повышение производительности ВМ лежит в плоско­сти архитектурных решений. Как уже о

Лабораторная работа. Исполнительные устройства ВМ
Счетчики.Счетчиком называют устройство, сигналы на выходе которого отображают число импульсов, поступивших на счетный вход. JK-триггер может служить примером просте

Характеристики систем памяти
Перечень основных характеристик, которые необходимо учитывать, рассматривая конкретный вид ЗУ, включает в себя: · место расположения; · емкость; · единицу

Иерархия запоминающих устройств
Память часто называют «узким местом» фон-неймановских ВМ из-за ее серьезного отставания по быстродействию от процессоров, причем разрыв этот неуклонно уве­личивается. Так, если прои

Основная память
Основная память (ОП) представляет собой единственный вид памяти, к которой ЦП может обращаться непосредственно (исключение составляют лишь регистры центрального процессора). Информация, хранящая

Блочная организация основной памяти
Емкость основной памяти современных ВМ слишком велика, чтобы ее можно было реализовать на базе единственной интегральной микросхемы (ИМС). Необходи­мость объединения нескольких ИМС

Организация микросхем памяти
Интегральные микросхемы (ИМС) памяти организованы в виде матрицы ячеек, каждая из которых, в зависимости от разрядности ИМС, состоит из одного или более запоминающих элементов (ЗЭ)

Синхронные и асинхронные запоминающие устройства
В качестве первого критерия, по которому можно классифицировать запоминаю­щие устройства основной памяти, рассмотрим способ синхронизации. С этих по­зиций известные типы ЗУ подразде

Оперативные запоминающие устройства
Большинство из применяемых в настоящее время типов микросхем оперативной памяти не в состоянии сохранять данные без внешнего источника энергии, то есть являются энергозависимыми (vo

Статическая и динамическая оперативная память
В статических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную инфор­мацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминаю­щий элемент динамического

Статические оперативные запоминающие устройства
Напомним, что роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Статические ОЗУ на настоящий момент – наиболее быстрый, правда, и наиболее дорогостоящий вид оперативн

Лабораторная работа. Расширенная работа с памятью и передача управления в программе
Реализуйте на языке ассемблера микропроцессора i8086 следующие программы, используя команды передачи управления call и ret: 1. Определить резу

Магнитные диски
Информация в ЗУ на магнитных дисках (МД) хранится на плоских металличес­ких или пластиковых пластинах (дисках), покрытых магнитным материалом. Дан­ные записываются и считываются с д

Организация данных и форматирование
Данные на диске организованы в виде набора концентрических окружностей, на­зываемых дорожками (рис. 72). Каждая из них имеет ту же ширину, что и головка. Соседние дорожки разделены промежутками. Эт

Внутреннее устройство дисковых систем
В ЗУ с фиксированными головками приходится по одной головке считывания/ записи на каждую дорожку. Головки смонтированы на жестком рычаге, пересека­ющем все дорожки диска. В дисковом

Концепция массива с избыточностью
Магнитные диски, будучи основой внешней памяти любой ВМ, одновременно ос­таются и одним из «узких мест» из-за сравнительно высокой стоимости, недоста­точной производительности и отк

Повышение производительности дисковой подсистемы
Повышение производительности дисковой подсистемы в RAID достигается с по­мощью приема, называемого расслоением или расщеплением (striping). В его осно­ве лежит разбиение данных и ди

Повышение отказоустойчивости дисковой подсистемы
Одной из целей концепции RAID была возможность обнаружения и коррекции ошибок, возникающих при отказах дисков или в результате сбоев. Достигается это за счет избыточного дискового п

RAID уровня 0
RAID уровня 0, строго говоря, не является полноценным членом семейства RAID, поскольку данная схема не содержит избыточности и нацелена только на повыше­ние производительности в уще

RAID уровня 1
В RAID 1 избыточность достигается с помощью дублирования данных. В принци­пе исходные данные и их копии могут размещаться по дисковому массиву произ­вольно, главное чтобы они находи

RAID уровня 2
В системах RAID 2 используется техника параллельного доступа, где в выполне­нии каждого запроса на В/ВЫВ одновременно участвуют все диски. Обычно шпин­дели всех дисков синхронизиров

RAID уровня 3
RAID 3 организован сходно с RAID2. Отличие в том, что RAID 3 требует только одного дополнительного диска - диска паритета, вне зависимости от того, на­сколько велик массив дисков (р

RAID уровня 4
По своей идее и технике формирования избыточной информации RAID 4 иденти­чен RAID 3, только размер полос в RAID 4 значительно больше (обычно один-два физических блока на диске). Гла

RAID уровня 5
RAID 5 имеет структуру, напоминающую RAID 4. Различие заключается в том, что RAID 5 не содержит отдельного диска для хранения полос паритета, а разно­сит их по всем дискам. Типичное

RAID уровня 6
RAID 6 очень похож на RAID 5. Данные также разбиваются на полосы размером в блок и распределяются по всем дискам массива. Аналогично, полосы паритета распределены по разным дискам.

RAID уровня 7
Схема RAID 7, запатентованная Storage Computer Corporation, объединяет мас­сив асинхронно работающих дисков и кэш-память, управляемые встроенной в кон троллер массива операционной с

RAID уровня 10
Данная схема совпадает с RAID 0, но в отличие от нее роль отдельных дисков вы­полняют дисковые массивы, построенные по схеме RAID 1 (рис. 83). Таким образом, в RAID 10 соче

Особенности реализации RAID-систем
Массивы RAID могут быть реализованы программно, аппаратно или как комби­нация программных и аппаратных средств. При программной реализации используются обычные дисковые кон

Оптическая память
В 1983 году была представлена первая цифровая аудиосистема на базе компакт-дисков (CD - compact disk). Компакт-диск - это односторонний диск, способный хранить более чем 60-минутную

Уровни параллелизма
Методы и средства реализации параллелизма зависят от того, на каком уровне он должен обеспечиваться. Обычно различают следующие уровни параллелизма: · Уровень заданий. Неск

Параллелизм уровня программ
О параллелизме на уровне программы имеет смысл говорить в двух случаях. Во-первых, когда в программе могут быть выделены независимые участки, которые допустимо выполнять параллельно

Параллелизм уровня команд
Параллелизм на уровне команд имеет место, когда обработка нескольких команд или выполнение различных этапов одной и той же команды может перекрываться во времени. Разработчики вычис

Профиль параллелизма программы
Число процессоров многопроцессорной системы, параллельно участвующих в вы­полнении программы в каждый момент времени t, определяют понятием степень параллелизма D(t) (

Рассмотрим параллельное выполнение программы со следующими характеристи­ками: · О(п) - общее число операций (команд), выполненных на п-процессорной сис­теме;

Закон Амдала
Приобретая для решения своей задачи параллельную вычислительную систему, пользователь рассчитывает на значительное повышение скорости вычислений за счет распределения вычислительной

Закон Густафсона
Известную долю оптимизма в оценку, даваемую законом Амдала, вносят исследо­вания, проведенные уже упоминавшимся Джоном Густафсоном из NASA Ames Research. Решая на вычислительной сис

Когерентность кэш- памяти в SMP- системах
Требования, предъявляемые современными процессорами к полосе пропускания памяти можно существенно сократить путем применения больших многоуровневых кэшей. Тогда, если эти требования

Когерентность кэш- памяти в MPP-системах
Существуют два различных способа построения крупномасштабных систем с распределенной памятью. Простейший способ заключается в том, чтобы исключить аппаратные механизмы, обеспечивающ

Организация прерываний в мультипроцессорных системах
Рассмотрим реализацию прерываний в наиболее простых симметричных многопроцессорных системах, в которых используется несколько процессоров, объединенных общей шиной. Каждый процессор

Заключение
Охватить все аспекты строения и организации вычислительных машин в одном издании (да и в рамках одного курса) не представляется возможным. Знания в этой области человеческой деятель

Библиографический список
1. Авен, О. И. Оценка качества и оптимизации вычисли­тельных систем / О.И. Авен, Н. Я. Турин, А. Я. Коган. – М.: Наука, 1982. – 464 с. 2. Воеводин, В. В. Параллельные вычи

Динамическая оперативная память

Динамическая оперативная память (DRAM – Dynamic Random Access Memory) – энергозависимая полупроводниковая память с произвольным доступом. На данный момент – это основной тип оперативной памяти, используемый в современных персональных компьютерах и обеспечивающий наилучший показатель отношения цена-качество по сравнению с другими типами оперативной памяти. Однако, требования к быстродействию, энергопотреблению и надежности оперативной памяти постоянно растут, и динамическая оперативная память уже с трудом соответствует современным потребностям, так что в ближайшие годы стоит ожидать появления серийно выпускаемых конкурирующих типов оперативной памяти, таких как магниторезистивная оперативная память.

1. Устройство динамической оперативной памяти.

Динамическая оперативная память (DRAM – Dynamic Random Access Memory) – энергозависимая память с произвольным доступом, каждая ячейка которой состоит из одного конденсатора и нескольких транзисторов. Конденсатор хранит один бит данных, а транзисторы играют роль ключей, удерживающих заряд в конденсаторе и разрешающих доступ к конденсатору при чтении и записи данных.

Однако транзисторы и конденсатор – неидеальные, и на практике заряд с конденсатора достаточно быстро истекает. Поэтому периодически, несколько десятков раз в секунду, приходится дозаряжать конденсатор. К тому же процесс чтения данных из динамической памяти – деструктивен, то есть при чтении конденсатор разряжается, и необходимо его заново подзаряжать, чтобы не потерять навсегда данные, хранящиеся в ячейке памяти.

На практике существуют разные способы реализации динамической памяти. Упрощенная структурная схема одного из способов реализации приведена на рисунке 1.

Как видно из рисунка, основным блоком памяти является матрица памяти, состоящая из множества ячеек, каждая из которых хранит 1 бит информации.

Каждая ячейка состоит из одного конденсатора (С) и трех транзисторов. Транзистор VT1 разрешает или запрещает запись новых данных или регенерацию ячейки. Транзистор VT3 выполняет роль ключа, удерживающего конденсатор от разряда и разрешающего или запрещающего чтение данных из ячейки памяти. Транзистор VT2 используется для считывания данных с конденсатора. Если на конденсаторе есть заряд, то транзистор VT2 открыт, и ток пойдет по линии AB, соответственно, на выходе Q1 тока не будет, что означает – ячейка хранит бит информации с нулевым значением. Если заряда на конденсаторе нет, то конденсатор VT2 закрыт, а ток пойдет по линии AE, соответственно, на выходе Q1 ток будет, что означает – ячейка хранит бит информации со значением “единица”.

Заряд в конденсаторе, используемый для поддержания транзистора VT2 в открытом состоянии, во время прохождения по нему тока, быстро расходуется, поэтому при чтении данных из ячейки необходимо проводить регенерацию заряда конденсатора.

Для работы динамической памяти на матрицу должно всегда поступать напряжение, на схеме оно обозначено, как Uп. С помощью резисторов R напряжение питания Uп равномерно распределяется между всеми столбцами матрицы.

Также в состав памяти входит контроллер шины памяти, который получает команды, адрес и данные от внешних устройств и ретранслирует их во внутренние блоки памяти.

Команды передаются в блок управления, который организует работу остальных блоков и периодическую регенерацию ячеек памяти.

Адрес преобразуется в две составляющие – адрес строки и адрес столбца, и передается в соответствующие дешифраторы.

Дешифратор адреса строки определяет, с какой строки надо провести чтение или запись, и выдает на эту строку напряжение.

Дешифратор адреса столбца при чтении данных определяет, какие из считанных бит данных были запрошены и должны быть выданы в шину памяти. При записи данных дешифратор определяет, в какие столбцы надо подать команды записи.

Блок работы с данными определяет, какие данные, в какую ячейку памяти требуется записать, и выдает соответствующие биты данных для записи в эти ячейки.

Блоки регенерации определяют:

• когда происходит чтение данных и надо провести регенерацию ячейки, из которой данные были считаны;
• когда происходит запись данных, а, следовательно, регенерацию ячейки производить не надо.

Буфер данных сохраняет всю считанную строку матрицы, так как при чтении всегда считывается вся строка целиком, и позволяет потом выбрать из считанной строки требуемые биты данных.

Рассмотрим принцип работы динамической памяти на примере структурной схемы, приведенной на рисунке 1. Рассматривать будем работу с первой ячейкой (M11). Работа остальных ячеек памяти полностью идентична.

1.1. Работа динамической памяти в состоянии покоя.

И так, первое что мы рассмотрим – этот состояние покоя, когда к памяти отсутствуют обращения, и она не в стадии регенерации данных.

DRAM – память энергозависимая, поэтому работа с ней возможна только при подаче питания. На схеме подаваемое на плату питание обозначено, как Uп. Подаваемое питание распределяется между всеми столбцами матрицы памяти с помощью транзисторов R.

Если память бездействует (от контроллера шины памяти не приходит никаких команд), то от дешифратора адреса строки не выдается сигнал ни на одну линию строк (S1-Sn) матрицы памяти. Соответственно, транзисторы VT1 и VT3 ячейки памяти M11 закрыты, также как и аналогичные транзисторы всех остальных ячеек памяти.

Следовательно, ток от подаваемого питания проходит по линии AE для первого столбца и аналогично для всех остальных столбцов матрицы памяти. Далее попадает на выходы Q1-Qm, на которых устанавливается «высокий» уровень напряжения, соответствующий значению логической «1». Но так как никаких команд от блока управления нет, то «Буфер данных» игнорирует получаемые сигналы.

Тут становится понятно, зачем нужен транзистор VT3. Он защищает конденсатор от разряда, когда к данной ячейки памяти нет обращения.

Ток по линии AE также попадает на «Блок регенерации 1», а именно, на нижний вход элемента L3 (логическое «И»), то есть на нижний вход элемента L3 подается логическая единица.

Рассмотрим, как в этом случае будет работать блок регенерации.

Так как от контроллера памяти нет никаких сигналов, то на входе элемента L1 (логическое «НЕ») будет логический ноль, а, соответственно, на выходе – логическая «1». Таким образом, на верхнем входе элемента L3 (логическое «И») будет логическая единица.

Имея на входах элемента L3 (логическое «И») две логические единицы, на выходе получим так же логическую единицу.

На выходе элемента L2 (логическое «И») будет логический ноль, так как на обоих его входах напряжение отсутствует, так как от контроллера памяти нет никаких команд и данных.

В результате, на входах элемента L4 (логическое «ИЛИ-НЕ») будет логический ноль и логическая единица, а, соответственно, на его выходе будет логический ноль, то есть напряжение будет отсутствовать. Так как напряжение отсутствует, то ни один конденсатор первого столбца матрицы памяти подзаряжен не будет. Хотя, даже если бы напряжение и присутствовало, все равно подзарядка была бы невозможна, так как транзисторы подзарядки (доля ячейки М11 – это VT1) были бы закрыты, ведь ни на одну строку матрицы памяти (S1-Sn) напряжение не подается.

Точно такая же ситуация будет со всеми столбцами матрицы памяти.

Таким образом, при бездействии памяти конденсаторы не подзаряжаются и хранят тот заряд (а, соответственно, и тот бит данных), который у них был с момента последней подзарядки. Однако долго это продолжаться не может, так как из-за саморазрядки конденсатор, через несколько десятков миллисекунд, разрядится, и данные будут утеряны. Поэтому необходимо постоянно проводить регенерацию памяти.

1.2. Работа динамической памяти при чтении данных и регенерации.

Будем рассматривать принцип чтения данных из динамической памяти на примере считывания данных из ячейки памяти М11:

1. Процессор запрашивает порцию данных (размер зависит от разрядности процессора, для 32-разрядного процессора минимальной единицей обмена, обычно, являются 32 бита) и выдает их адрес.

2. Контроллер шины памяти преобразует адрес в номер строки и номер столбца и выдает номер строки в дешифратор адреса строки. Дешифратор адреса строки выдает сигнал в соответствующую строку матриц памяти. Мы договорились, что в примере данные будем читать из первой ячейки памяти. Поэтому дешифратор адреса строки подаст напряжение на первую строку (S1).

3. Напряжение, поданное на строку S1, откроет транзисторы VT1 и VT3 первой ячейки памяти и соответствующие транзисторы всех остальных ячеек первой строки.

4. Дальнейшая работа памяти зависит от наличия или отсутствия заряда на конденсаторе. Рассмотрим отдельно два случая, когда на конденсаторе ячейки М11 есть заряд, и когда нет.

4.1 . В начале рассмотрим случай, когда заряд в конденсаторе есть (ячейка памяти содержит бит со значением ноль):

Так как на конденсаторе С ячейки памяти М11 есть заряд, то транзистор VT2 будет открыт, а, соответственно, ток, создаваемый входным напряжением Uп, пойдет по линии AB. В результате, на выходе Q1 первого столбца тока не будет. А это означает, что с ячейки памяти М11 считан ноль. Соответствующая информация о считанном бите с первого столбца будет записана в «Буфер данных».

Для поддержания транзистора VT2 в открытом состоянии и протекания тока по линии AB расходуется заряд конденсатора С. В результате, конденсатор очень быстро разрядится, если не провести его регенерацию.

Так как на выходе Q1 тока нет, то он не будет поступать и в «Блок регенерации 1», а, соответственно, на нижнем входе элемента L3 (логическое «И») будет логический ноль.

Так как мы рассматриваем случай чтения данных, то сигнал записи V1 и данные для записи D1 в «Блок регенерации 1» подаваться не будут. В остальные блоки регенерации соответствующие сигналы D1-Dm и V1-Vm также подаваться не будут.

В результате, на входе элемента L1 (логическое «НЕ») будет логический «0», а на выходе – логическая «1», поэтому на входах элемента L3 (логическое «И») будет логический «0» и логическая «1». Это значит, что на выходе этого элемента будет логический «0».

На выходе логического элемента L2 (логическое «И») будет логический ноль, так как на обоих его входах напряжение отсутствует, так как от контроллера шины памяти отсутствуют команды на запись и данные для записи.

Имея на обоих входах элемента L4 (логическое «ИЛИ-НЕ») логический «0», на его выходе будем иметь логическую «1», то есть с блока регенерации пойдет ток подзарядки конденсатора С. Так как транзистор подзарядки VT1 ячейки памяти М11 открыт, то ток подзарядки беспрепятственно пройдет в конденсатор С. Остальные ячейки памяти первого столбца имеют закрытый конденсатор подзарядки, а, следовательно, подзарядка их конденсаторов происходить не будет.

4.2 . Теперь рассмотрим случай, когда в конденсаторе нет заряда (ячейка памяти хранит бит со значением «1»):

Ток, создаваемый входным напряжением Uп, пойдет по линии AЕ, так как транзистор VT2 будет закрыт. Следовательно, на входе Q1 «Буфера данных» будет ток, что означает – с ячейки памяти считана единица. Информация о считанном бите с первого столбца будет записана в «Буфер данных».

Так как в конденсаторе заряда не было, то и подзаряжать его надобности нет. Следовательно, с блока регенерации ток пойти не должен.

Так как на выходе Q1 ток есть, то он поступает и в «Блок регенерации». Следовательно, на нижний вход элемента L3 (логическое «И») подается логическая единица.

Так как мы рассматриваем случай чтения данных, то сигнала записи V1 и данных для записи D1 в «Блок регенерации 1» подаваться не будет. Так же в остальные блоки регенерации, соответствующие сигналы D1-Dm и V1-Vm так же подаваться не будут.

Следовательно, на входе элемента L1 (логическое «НЕ») будет логический ноль, а на выходе – логическая «1». Таким образом, на входах элемента L3 (логическое «И») будут две логические единицы. В результате, на выходе получим так же логическую единицу.

На выходе логического элемента L2 (логическое «И») будет логический ноль, так как на обоих его входах напряжение отсутствует, так как от контроллера памяти нет команд на запись и данных для записи.

В результате, на входах элемента L4 (логическое «ИЛИ-НЕ») будет логический ноль и логическая единица, а, соответственно, на его выходе будет логический ноль, то есть напряжение будет отсутствовать. Так как напряжение отсутствует, то ни один из конденсаторов первого столбца матрицы памяти подзаряжаться не будет.

5. Параллельно с чтением и регенерацией данных первого столбца происходит по такому же алгоритму чтение данных с остальных столбцов. В результате, в буфер данных будет записано значение всех ячеек памяти первой строки.

6. С контроллера памяти на дешифратор адреса столбца выдаются номера столбцов для считывания. За один такт номера считываются сразу с нескольких столбцов. Количество столбцов для считывания определяется разрядностью процессора и способом его взаимодействия с памятью. Для 32-разрядных процессоров минимальной порцией является считывание данных с 32 столбцов.

7. С дешифратора адреса столбцов номера столбцов передаются в «Буфер данных», откуда соответствующие данные считываются и передаются в процессор.

На этом цикл чтения данных заканчивается. Как вы заметили, при чтении данных считываются значения сразу со всей строки памяти данных, а потом из нее в «Буфере данных» выбираются нужные данные. Поэтому минимальной порцией чтения данных с динамической оперативной памяти является строка.

При чтении данных одновременно происходит и их регенерация. Однако не все данные ОЗУ постоянно нужны для работы, поэтому обращение к некоторым ячейкам памяти может быть очень редким. Для того чтобы данные в таких ячейках не были утеряны, их приходится считывать принудительно, не дожидаясь пока они потребуются процессору.

Поэтому «Блок управления» с определенной частотой, в моменты простоя памяти или между обращением к памяти процессора (или других устройств), регенерирует данные во всех ячейках памяти.

1.3. Работа динамической памяти при записи данных.

Будем рассматривать принцип записи данных в динамическую память на примере записи данных в ячейку памяти М11:

1. Контроллер шины памяти получает команду на запись данных, данные и адрес, куда необходимо записать эти данные.

2. Контроллер шины памяти преобразует адрес на две составляющие – номер строки и номера столбцов, и передает полученные составляющие в «Дешифратор адреса строки» и в «Дешифратор адреса столбцов». А данные передает в «Блок работы с данными».

3. Дешифратор адреса строки выдает сигнал в соответствующую строку матрицы памяти. Мы договорились, что в примере данные будем записывать в первую ячейку памяти. Поэтому дешифратор адреса строки подаст напряжение на первую строку (S1).

4. Одновременно с «Дешифратора адреса столбцов» выдаются сигналы V в столбцы, соответствующие полученному адресу. В эти же столбцы подаются сигналы D с «Блока работы с данными», уровень которых определяется значением битов записываемого слова.

5. Напряжение, поданное на строку S1, откроет конденсаторы VT1 и VT3 первой ячейки памяти и соответствующие конденсаторы всех остальных ячеек первой строки.

6. Если в ячейке М11 хранится бит со значением «0» (в конденсаторе есть заряд), то ток, создаваемый входным напряжением Uп, пойдет по линии AB, иначе – по линии AE. Но нам это не важно, так как в ячейку М11 производится запись данных, а не их чтение, поэтому буфер данных будет игнорировать считанное с ячейки значение. А с выхода элемента L3 «Блока регенерации 1» будет всегда идти логический ноль, так как с дешифратора столбцов приходит сигнал (V1) на запись данных в первый столбец.

В результате, на входе элемента L1 будет логическая единица, а на выходе – логический ноль. Соответственно, на верхнем входе элемента L3 мы всегда имеем логический ноль, что означает – независимо от значений на нижнем входе, на выходе элемента L3 будет логический ноль.

На нижнем входе элемента L2 будет логическая единица, так как с дешифратора адреса столбцов выдается сигнал V1, а на верхнем входе будет либо ноль, либо единица, в зависимости от того, какое значение имеет бит записываемой информации.

Если бит имеет значение «1», то на верхнем входе элемента L2 будет «1». Имея две единицы на входе, мы получим на выходе так же логическую единицу. Соответственно, на входах элемента L4 будет получена логическая «1» и логический «0». В результате, на выходе будет логический «0», то есть ток будет отсутствовать, а, соответственно, зарядка конденсатора C идти не будет. Если до этого конденсатор С содержал заряд, то через несколько микросекунд он разрядится, пропуская ток по линии АВ. Таким образом в конденсатор С будет записан бит данных «1», соответствующий разряженному состоянию конденсатора.

Если бит имеет значение «0», то на верхнем входе элемента L2 будет «0». Имея на верхнем входе логический ноль, а на нижнем – логическую единицу, на выходе элемента L2 получим логический ноль. В результате, на верхнем и нижнем входах элемента L4 имеем логические нули, что означает – на выходе элемента L4 будет логическая единица, то есть пойдет ток зарядки конденсатора. Таким образом в конденсатор С будет записан бит данных «0», соответствующий заряженному состоянию конденсатора.

Аналогичным образом будут записаны данные в другие столбцы матрицы памяти. В тех столбцах, в которых запись данных не требуется, будет произведено чтение данных из ячейки памяти и ее регенерация. При этом данные в буфер памяти записаны не будут.

Запись данных во все требуемые ячейки строки матрицы памяти и чтение с регенерацией из оставшихся ячеек строки производятся параллельно.

Приведенная на рисунке 1 структурная схема памяти и описанный принцип работы соответствуют одной из самых простых организаций динамической памяти. На практике такую память уже давно не используют. Со временем, она претерпела ряд изменений, позволивших ей работать гораздо быстрее. Давайте рассмотрим эти улучшения.

2. Этапы модернизации динамической оперативной памяти.

Все усовершенствования в работе динамической памяти были направлены на увеличение скорости работы памяти, так как скорость оперативной памяти всю историю существования вычислительной техники являлась одним из факторов, сдерживающих рост производительности ЭВМ. Если обратиться к истории ЭВМ, то можно увидеть, что каждый прорыв в области организации оперативной памяти приводил к резкому скачку в быстродействии ЭВМ.

Естественно, скорость работы памяти увеличивалась, за счет повышения тактовой частоты и улучшения технологического процесса производства. Это был закономерный процесс, приводивший к плавному увеличению скорости работы. Но нас более интересуют изменения в принципиальном устройстве памяти, приводившие к появлению новых типов памяти. Именно о них я буду рассказывать в этой главе.

2.1. PM DRAM.

Один из первых видов оперативной памяти, используемой в персональных компьютерах, была простая динамическая оперативная память (PM DRAM – Page Mode DRAM), принцип работы которой описан выше. PM DRAM использовалась вплоть до середины 90-х годов.

Однако ее быстродействия катастрофически не хватало, поэтому на смену ей в 1995 году пришла память FPM DRAM.

2.2. FPM DRAM.

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) – быстрая страничная память. Основное ее отличие от памяти FP DRAM заключалось в поддержке сохраненных адресов. То есть, если новое считываемое из памяти слово находилось в той же строке, что и предыдущее слово, то обращение к матрице памяти не требовалось, а выборка данных осуществлялась из «Буфера данных» (смотри рисунок 1) по номерам столбцов. Это позволяло в случае чтения из памяти массивов данных значительно сократить время чтения.

Однако запись данных в память осуществлялась точно так же, как и в памяти PM DRAM. Да и далеко не всегда считываемые данные располагались в одной строке. В результате, прирост производительности сильно зависел от типа программ, с которыми работала ЭВМ. Прирост мог быть, как существенный, так и вовсе могло быть замедление работы, из-за дополнительных накладных расходов на анализ номера строки предыдущей операции чтения.

Следующий тип памяти, заменивший FPM DRAM, появился через год (в 1996 году) и назывался EDO-DRAM.

2.3. EDO-DRAM.

EDO-DRAM (Extended Data Out DRAM) – динамическая память с усовершенствованным выходом. В этом типе памяти адрес следующего считываемого слова передавался до завершения считывания линии данных памяти, то есть до того, как считанные данные из памяти были переданы процессору.

Приступить к считыванию нового слова данных, до завершения чтения предыдущего, стало возможным, благодаря вводу, так называемых, регистров – защелок, которые сохраняли последнее считанное слово даже после того, как начиналось чтение или запись следующего слова.

Сочетая в себе также новшества памяти FPM RAM, новый тип памяти давал прирост производительности в пике, достигавший 15-20%.

Однако прогресс не стоял на месте, тактовые частоты работы процессоров, системной шины и естественно памяти росли. С повышением тактовой частоты все сложнее было добиваться стабильной работы памяти EDO-DRAM, так как из-за непредвиденных задержек чтение нового слова данных могло начаться прежде, чем предыдущее слово данных было сохранено с помощью регистров-защелок.

В результате, на смену EDO-DRAM пришла память SDRAM.

2.4. SDRAM.

SDRAM (Synchronous DRAM) – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Как видно из названия, память работала синхронно, синхронно с контроллером памяти, что гарантировало завершение цикла чтения/записи строк в заданное время. Это позволяло выдавать новую команду на чтение до завершения считывания предыдущего слова данных, будучи уверенным, что считывание завершится верно, а чтение нового слова начнется с минимальной задержкой.

Однако тут возникали проблемы с чередованием чтения и записи. Когда подряд считывалось несколько слов данных – проблем не было никаких, а вот если до окончания записи приходила команда на чтение слова, которое записывалось, то это могло привести к считыванию неверных данных. Поэтому контроллер синхронной памяти дополнительно усложнился, обеспечивая защиту от таких ситуаций.

Также в SDRAM памяти было увеличено количество матриц памяти с одной до двух, иногда до четырех. Это позволило во время обращения к одной матрице памяти регенерировать строки другой матрицы, что, в свою очередь, позволило поднять тактовую частоту работы памяти, из-за уменьшения задержек на регенерацию.

Также это позволило считывать данные сразу из нескольких матриц памяти. То есть, пока идет считывание из одной матрицы памяти, в другую уже передается адрес нового слова для чтения/записи.

Со временем, развитие технологии производства и возможность работы сразу с несколькими матрицами памяти позволили значительно поднять внутреннюю скорость работы микросхем оперативной динамической памяти. Внешняя шина памяти стала узким местом и замедляла работу. В результате, был разработан новый тип памяти DDR SDRAM. С появлением DDR SDRAM предшествующую память SDRAM стали называть SDR SDRAM (Single Data Rate DRAM).

2.5. DDR SDRAM.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной частотой передачи данных.

В этом типе оперативной памяти обмен данными по внешней шине идет не только по фронту тактового импульса, но и по спаду. В результате, без увеличения тактовой частоты внешней шины удваивается объем передаваемой информации.

Но подъема скорости работы внешней шины данных недостаточно, необходимо, чтобы и сама память поддерживала такую скорость. Так как увеличить частоту работы оперативной памяти довольно сложно, трудоемко и дорого, то производители пошли на хитрость. Вместо увеличения тактовой частоты памяти, они увеличили разрядность внутренней шины данных (от ячеек матриц памяти до буферов ввода-вывода) и сделали ее в два раза большей, чем разрядность внешней шины памяти (от контроллера памяти, встраиваемого в северный мост, или процессора до микросхемы памяти). То есть за 1 такт считывалось столько данных, сколько могло передаваться по внешней шине только за два такта. При этом ширина внешней шины данных составляла 64 бита, а внутренней – 128 бит.

В результате, по фронту тактового импульса из чипа памяти передавалась первая часть данных, а по спаду – вторая. Аналогичная ситуация была и при записи данных в память. Сначала принималась первая часть данных, а затем – вторая, после чего они обрабатывались одновременно.

Однако из-за накладных расходов и необходимости применять мультиплексор, для объединения двух частей данных, передаваемых в оперативную память, и демультиплексор, для разделения считываемых данных из памяти на две части, сильно выросла латентность памяти.

Латентность – это время между запросом данных из памяти и временем, когда оперативная память начнет выдавать требуемые данные.

В результате, реальная производительность DDR памяти, по сравнению с SDR, возросла всего лишь на 30-40 процентов.

Наиболее популярные модели памяти DDR работали на тактовой частоте 200 МГц, но имели маркировку DDR400. 400 означало количество транзакций (обменов) в секунду. Действительно, при тактовой частоте 200 МГц и передаче данных по фронту и спаду тактового импульса, в секунду будет совершаться 400 МТр. При этом внутренняя частота чипа памяти также будет 200 МГЦ.

С появлением DDR памяти, одним из актуальных параметров работы чипа памяти стала латентность. В результате, для примерной оценки производительности памяти ввели такое понятие, как тайминги памяти.

Тайминги, обычно, задаются набором из четырех чисел, определяющих основные задержки памяти в тактах работы чипа памяти. В таблице 1 приведен пример расшифровки таймингов памяти DDR266 (тайминги: 2.5-3-3-7) в порядке их расположения в строке.

Таблица 1. Расшифровка таймингов оперативной памяти.

С помощью таймингов можно определить:

• время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта, – Tcl тактов;
• время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда строка неактивна, – Trcd+ Tcl тактов;
• время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка, – Trp+Trcd+Tcl тактов;

Тайминги можно изменять (разгонять память), наряду с тактовой частотой, однако стабильность работы памяти при этом не гарантируется, поэтому надо быть крайне внимательными и осторожными при попытках заставить работать память с нестандартными настройками.

В таблице 2 приведены основные сертифицированные стандарты DDR SDRAM и их параметры.

Таблица 2. Параметры стандартов памяти DDR SDRAM.

Поднять тактовую частоту чипа памяти выше 200 МГц на том этапе было крайне затруднительно. Естественно существовала память, работающая на тактовой частоте 233, 250 и даже 267 МГц, но это были несертифицированные стандарты, и стоили они дорого.

В результате, разработчики памяти продолжили развивать архитектуру памяти DDR SDRAM. Логическим результатом этого развития стала память DDR2 SDRAM.

2.6. DDR2 SDRAM.

В памяти DDR2 SDRAM ширина внутренней шины данных была увеличена еще в два раза и стала превосходить внешнюю шину данных в четыре раза. В результате, при одной и той же тактовой частоте внешней шины памяти у памяти DDR2 SDRAM внутренняя тактовая частота была в два раза меньше, по сравнению с памятью DDR SDRAM.

Для сравнения возьмем топовую память DDR (DDR400) и первую спецификацию памяти DDR2 (DDR2-400). Казалось бы, раз это новый тип памяти, то он должен работать быстрее, однако дело тут обстояло совсем не так. На практике память DDR2-400 была чуть ли не медленнее памяти DDR400.

Давайте разберемся почему. И так, первое – это тактовая частота внешней шины данных. Она была у обоих типов памяти одинаковая – 200 МГц, и ширина внешней шины данных тоже была одинаковая – 64 разряда. В результате, и быстродействие у памяти DDR2-400 заметно выше, чем у памяти DDR400, быть не могло.

К тому же в памяти DDR400 ширина внутренней шины была всего в 2 раза больше внешней, тогда как у DDR2-400 – в четыре. В результате, устройство мультиплексора и демультиплексора памяти DDR2-400 – сложнее. К тому же далеко не всегда считываемые/записываемые данные находятся в одной строке матрицы памяти, в результате, считать/записать все слова данных одновременно невозможно, эта особенность тем негативнее сказывается, чем больше ширина внутренней шины данных, а она, естественно, больше у памяти DDR2.

Так в чем же преимущество памяти DDR2-400. А преимущество – в тактовой частоте чипа памяти. Она была в два раза ниже, чем тактовая частота чипа DDR-400. Это давало огромный потенциал для увеличения производительности памяти и уменьшало энергопотребление.

В результате, очень быстро появилась память с внешней шиной, работающей на тактовой частоте 400 МГц. А позже у топовых моделей памяти DDR2 тактовая частота внешней шины достигла 533 МГц, при тактовой частоте чипа памяти – 266 МГц, и пиковой теоретической пропускной способности – 9.6 Гб/с, что, несмотря на увеличившуюся латентность, значительно превосходило возможности памяти DDR.

В таблице 3 приведены основные стандарты DDR2 SDRAM и их параметры.

* У различных производителей стандартные тайминги могут варьироваться и сильно зависят от качества элементной базы.

Таблица 3. Параметры стандартов памяти DDR2 SDRAM.

На этом был практически достигнут предел возможности усовершенствования DDR2 памяти по частоте и латентности. Дальнейшее увеличение производительности приводило к значительному росту энергопотребления и тепловыделений, и снижения стабильности и надежности работы памяти.

В результате, разработчики в 2005 году представили прототипы нового поколения DDR SDRAM памяти – DDR3 SDRAM. Однако массовое производство этой памяти и экспансия рынка начались только в 2009 году.

2.7. DDR3 SDRAM.

Основное направление развития памяти DDR3 SDRAM сохранилось таким же, как у DDR2 SDRAM. То есть снова была увеличена вдвое ширина внутренней шины данных памяти, что привело к снижению внутренней тактовой частоты памяти в два раза. К тому же при производстве памяти применялся новый технологический процесс, в начале – до 90 нм, затем – до 65 нм, 50 нм, 40 нм, и видимо это еще не предел.

Все это открыло разработчикам дальнейшие возможности по наращиванию тактовой частоты внешней шины памяти, тактовой чистоты самого чипа памяти, снижению рабочего напряжения и увеличению объема памяти.

Однако вместе с увеличением ширины внутренней шины данных увеличилась латентность памяти, усложнилось устройство мультиплексора/демультиплексора. В общем, все проблемы DDR и DDR2 памяти перешли в DDR3 память.

Но, благодаря улучшению технологического процесса и архитектуры памяти, удалось снизить время цикла чтения/записи, что позволило несколько снизить влияние увеличившейся латентности на производительность памяти.

В таблице 3 приведены существующие стандарты DDR3 SDRAM и их основные параметры.

* У различных производителей стандартные тайминги могут варьироваться и сильно зависят от технологического процесса производства и качества элементной базы.

Таблица 4. Параметры стандартов DDR3 SDRAM.

Память DDR3 сегодня (начало 2012 года) занимает главенствующие позиции на рынке, однако ей уже грядет замена в лице нового поколения памяти DDR – DDR4 SDRAM.

2.8. DDR4 SDRAM.

Стандарты нового поколения памяти были представлены еще в 2008 году в Сан-Франциско на форуме, организованном компанией Intel. В 2011 году компания Sumsung продемонстрировала свои первые прототипы памяти DDR4.Однако начало производства этого типа памяти планируется на 2012 год, а окончательное завоевание рынка закончится не ранее 2015 года. Такие поздние сроки начала массового производства, в основном, связаны с тем, что возможности памяти DDR3 еще полностью не исчерпаны и позволяют удовлетворить требования большинства пользователей. А, следовательно, выход на рынок с новым типом памяти будет коммерчески неоправдан.

Память DDR4 продолжит тенденции DDR памяти. Будет увеличена ширина внутренней шины, улучшена технология производства до 32-36 нм, подняты тактовые частоты внешней и внутренней шины, а также будет снижено напряжение.

Но поговорим о ней более подробно, когда появятся первые массово выпускаемые образцы памяти, а сейчас подведем итоги обзора динамической памяти и сформулируем ее основные достоинства и недостатки.

3. Достоинства и недостатки динамической памяти.

Преимущества динамической памяти:

• низкая себестоимость;
• высокая степень упаковки, позволяющая создавать чипы памяти большого объема.

Недостатки динамической памяти:

• относительно невысокое быстродействие, так как процесс зарядки и разрядки конденсатора, пусть и микроскопического, занимает гораздо больше времени, чем переключение триггера;
• высокая латентность, в основном, из-за внутренней шины данных, в несколько раз более широкой, чем внешняя, и необходимости использования мультиплексора/демультиплексора;
• необходимость регенерации заряда конденсатора, из-за его быстрого саморазряда, ввиду микроскопических размеров.

Большинство из применяемых в настоящее время типов микросхем оперативной памяти не в состоянии сохранять данные без внешнего источника энергии, т.е. являются энергозависимыми (volatile memory). Широкое распространение таких устройств связано с рядом их достоинств по сравнению с энергонезависимыми типами ОЗУ (non-volatile memory): большей емкостью, низким энергопотреблением, более высоким быстродействием и невысокой себестоимостью хранения единицы информации.

Энергозависимые ОЗУ можно подразделить на две основные подгруппы: динамическую память (DRAM - Dynamic Random Access Memory) и статическую память (SRAM - Static Random Access Memory).

Статическая и динамическая оперативная память

В статических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную информацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминающий элемент динамического ОЗУ способен хранить информацию только в течение достаточно короткого промежутка времени, после которого информацию нужно восстанавливать заново, иначе она будет потеряна. Динамические ЗУ, как и статические, энергозависимы.

Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов (рис. 5.7). Схема с четырьмя транзисторами обеспечивает большую емкость микросхемы, а следовательно, меньшую стоимость, однако у такой схемы большой ток утечки, когда информация просто хранится. Также триггер на четырех транзисторах более чувствителен к воздействию внешних источников излучения, которые могут стать причиной потери информации. Наличие двух дополнительных транзисторов позволяет в какой-то мере компенсировать упомянутые недостатки схемы на четырех транзисторах, но, главное - увеличить быстродействие памяти.

Рис. 5.7. Запоминающий элемент статического ОЗУ

Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из одного конденсатора и запирающего транзистора (рис. 5.8).

Рис. 5.8. Запоминающий элемент динамического ОЗУ

Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируются как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Даже при хорошем диэлектрике с электрическим сопротивлением в несколько тераом (10 12 Ом) используемом при изготовлении элементарных конденсаторов ЗЭ, заряд теряется достаточно быстро. Размеры у такого конденсатора микроскопические, а емкость имеет порядок 1СГ 15 Ф. При такой емкости на одном конденсаторе накапливается всего около 40 000 электронов. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна. Периодическое восстановление заряда ЗЭ называется регенерацией и осуществляется каждые 2-8 мс,

В различных типах ИМС динамической памяти нашли применение три основных метода регенерации:

Одним сигналом RAS (ROR - RAS Only Refresh);

Сигналом CAS, предваряющим сигнал RAS (CBR - CAS Before RAS);

Автоматическая регенерация (SR - Self Refresh).

Регенерация одним RAS использовалась еще в первых микросхемах DRAM. На шину адреса выдается адрес регенерируемой строки, сопровождаемый сигналом RAS. При этом выбирается строка ячеек и хранящиеся там данные поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как сигнал CAS не появляется, цикл чтения/записи не начинается. В следующий раз на шину адреса подается адрес следующей строки и т. д., пока не восстановятся все ячейки, после чего цикл повторяется. К недостаткам метода можно отнести занятость шины адреса в момент регенерации, когда доступ к другим устройствам ВМ блокирован.

Особенность метода CBR в том, что если в обычном цикле чтения/записи сигнал RAS всегда предшествует сигналу CAS, то при появлении сигнала CAS первым начинается специальный цикл регенерации. В этом случае адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на единицу при каждом очередном CBR-цикле. Режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, то есть более эффективен.

Автоматическая регенерация памяти связана с энергосбережением, когда система переходит в режим «сна» и тактовый генератор перестает работать. При отсутствии внешних сигналов RAS и CAS обновление содержимого памяти методами ROR или CBR невозможно, и микросхема производит регенерацию самостоятельно, запуская собственный генератор, который тактирует внутренние цепи регенерации.

Область применения статической и динамической памяти определяется скоростью и стоимостью. Главным преимуществом SRAM является более высокое быстродействие (примерно на порядок выше, чем у DRAM). Быстрая синхронная SRAM может работать со временем доступа к информации, равным времени одного тактового импульса процессора. Однако из-за малой емкости микросхем и высокой стоимости применение статической памяти, как правило, ограничено относительно небольшой по емкости кэш-памятью первого (L1), второго (L2) или третьего (L3) уровней. В то же время самые быстрые микросхемы динамической памяти на чтение первого байта пакета все еще требуют от пяти до десяти тактов процессора, что замедляет работу всей ВМ. Тем не менее благодаря высокой плотности упаковки ЗЭ и низкой стоимости именно DRAM используется при построении основной памяти ВМ.