Разгон оперативной памяти ddr1. Разгон оперативной памяти

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Бесплатно добиться от системы дополнительного быстродействия всегда приятно — именно поэтому люди занимаются разгоном. Однако в первую очередь оверклокеры разгоняют процессор и видеокарту, поскольку опыты над этими компонентами дают наибольший прирост скорости. Память обычно оставляют на десерт или не трогают вовсе. Одних останавливает тот факт, что разгонять оперативку сложно, других - что процесс этот дарует совсем незначительный бонус к производительности. Случается даже, что разгон памяти виден в бенчмарках и некоторых приложениях и абсолютно не виден в играх. Но для тех, кто в любом случае хочет выжать из своей системы все соки, «Игромания» публикует ликбез по разгону памяти.

Многогранная

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские пляски с тремя основными характеристиками - частотой, напряжением и задержками (таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше - тем лучше! Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы. Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных компьютерах, существует две разных частоты - реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.

В чем подвох? Название DDR - это сокращение фразы DDR SDRAM, которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь - удвоенная скорость. В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти. Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 - 1,5 В. Медленные модули, как правило, придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 - 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти - задержки (тайминги), и это, определенно, тема для отдельной главы.

Без спешки

Итак, задержки - или тайминги. Прежде чем объяснить, что это такое, не помешает ознакомиться с архитектурой памяти DDR.

Для хранения простейшей единицы информации (бита) в чипах DDR используется ячейка, представляющая собой сочетание транзистора и конденсатора. Подобных ячеек в каждой микросхеме памяти огромное множество. Они выстраиваются в строки и столбцы, которые в конечном счете образуют массивы, называемые банками. Поскольку чипы DDR относятся к динамическому типу памяти, их содержимое необходимо периодически обновлять (подзаряжать), иначе записанная в них информация будет утеряна.

Взаимодействием с ОЗУ занимается так называемый контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно - должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.

Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них. Конкретно - CAS Latency, RAS-to-CAS Delay, Row Precharge Time и Row Active Time. Именно таков их порядок по степени значимости, и именно в такой последовательности они располагаются в BIOS материнских плат и в описаниях к модулям памяти. Например, в технических характеристиках плашек Kingmax DDR3 2400 MHz Nano Gaming RAM есть строка «10-11-10-30» - так вот, это и есть тайминги. Первая цифра показывает значение CAS Latency, вторая - RAS-to-CAS Delay и так далее.

Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay.

Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек (ее длина зависит от типа памяти и дополнительных настроек) команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов - эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти. После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки.

А где же два других тайминга? Первый, Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов - за этот интервал и отвечает Row Precharge Time. Ну а тайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay, CAS Latency и длины считываемой строки, однако обычно ее значение подбирают простым сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности.

Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом, так что рассматривать этот процесс подробно мы не станем. Также не будем акцентировать внимание на дополнительных настройках памяти вроде длины строки и вторичных таймингов - слишком уж незначительно их влияние на общее быстродействие системы. Эти параметры будут интересны оверклокерам, идущим на рекорд, а вовсе не простым пользователям.

Многие начинающие сборщики нередко допускают следующую ошибку: стремясь вооружить системник по максимуму, они устанавливают в материнскую плату модули DDR3 с запредельной рабочей частотой (скажем, 2400 МГц) и остаются в счастливой уверенности, что память в их компьютере уже работает на заявленной скорости. Однако без дополнительных манипуляций со стороны пользователя подобные плашки будут работать в том же режиме, что и их дешевые собратья. Объясняется это тем, что базовые настройки памяти материнская плата черпает из специального чипа SPD (Serial Presence Detect), коим в обязательном порядке оснащается каждый DDR-модуль. Прописанные в SPD частоты и тайминги, как правило, далеки от максимально возможных - это сделано для того, чтобы модули могли стартовать даже в очень слабой системе. Соответственно, такую память приходится дополнительно разгонять.

К счастью, иногда этот процесс можно существенно облегчить. Так, компания Intel уже не первый год продвигает особое расширение для чипа SPD, известное как XMP (Extreme Memory Profiles). Оно записывает в модули памяти информацию о дополнительных настройках системы, которая может быть считана материнскими платами с поддержкой этой технологии. Если материнке удастся подхватить нужный профиль XMP (он выбирается через BIOS), то она автоматически выставит заявленную в нем частоту памяти, подкорректировав ради этого другие параметры системы, - произойдет автоматический разгон. Правда, при этом крайне желательно, чтобы память была сертифицирована для той платформы, на которую она установлена, иначе профиль либо не сработает, либо сработает, но не так, как надо. Кроме того, никогда не лишне перепроверить выставленные автоматикой значения, поскольку некоторые производители памяти умудряются прописывать в профиле XMP такие настройки, от которых система может скоропостижно скончаться. В целом же технология эта очень полезна, но дружит она только с процессорами Intel.

Стоит отметить, что еще до появления XMP компании NVIDIA и Corsair продвигали аналогичную разработку, известную как EPP (Enhanced Performance Profiles), но она не прижилась.

Соковыжималка

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались. Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, - и вот с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый подразумевает повышение частоты модулей, второй - понижение таймингов. Другими словами: можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется полезнее вашей системе - высокочастотная память с ослабленными таймингами или модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться вновь снизить задержки - как показывает практика, такой подход чаще оказывается выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов, измеряющих производительность системы, - именно они позволят оценить, насколько велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера - случаются такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский набор из PCMark , Everest и WinRAR (встроенный тест), но вообще список диагностических утилит для памяти обширен - выбирайте то, что больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер стресс-тестами вроде OCCT и S&M , дабы окончательно убедиться в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере памяти - нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек. Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно, перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке - это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS. Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет - тогда уже можно и паниковать.

Индивидуальный подход

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной утилите ползунок вправо - получил нужную прибавку к частоте. С полноценными DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров - опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы. Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации мы, разумеется, не станем - сосредоточимся на десктопных платформах, появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак, хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров...

Intel Sandy Bridge

Новейшие процессоры Intel , представленные двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7 , придутся по душе оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению - стоит отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно. Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) - увеличивать соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для эффективного разгона ОЗУ недостаточно - нужна еще и подходящая материнская плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express , позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить со всей основательностью.

Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и системы охлаждения.

Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше производительности.

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов - процессоры Core i7 девятисотой серии - обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша, а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило, что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не нужна - какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти - они покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще немного бонусных мегагерц.

Intel Lynnfield

Процессоры линеек Core i7-8хх и Core i5-7хх , построенные на архитектуре Lynnfield, - это, пожалуй, лучший выбор для тех, кто хочет поставить рекорд частоты модулей памяти. Чтобы убедиться в этом, достаточно взглянуть, какие процессоры используются нынешними рекордсменами.

Секрет успеха Lynnfield в том, что для стабильной работы оперативки частота Uncore у этих кристаллов необязательно должна быть в два раза больше частоты памяти. Intel решила вообще заблокировать множитель ненавистного оверклокерами блока: для восьмисотых моделей Core i7 он зафиксирован на отметке 18х, а для семисотых - на 16х. Максимальные множители памяти для этих процессоров равны 12х и 10х соответственно. Таким образом, Uncore больше не выступает в роли бутылочного горлышка при разгоне памяти, поэтому «набор высоты» проходит легко и непринужденно.

Процессор из линейки Core i7-8хх без труда сможет выжать максимум из любого набора памяти: до 1600 МГц (133х12) можно добраться, не трогая BCLK, ну а дальше в ход идут эксперименты с опорной частотой. У семисотых Core i7 возможности чуть скромнее, но и их рядовому пользователю должно хватить с лихвой. Конечно, при значительном увеличении BCLK блок Uncore хорошенько разогреется (его рабочее напряжение придется усилить), однако к тому времени модули уже будут работать на пределе возможностей. Вообще же в таких случаях крайне желательна мощная система охлаждения процессора.

Intel Clarkdale

Бюджетные процессоры Intel со встроенной графикой, представленные семействами Core i5-6хх , Core i3 и Pentium G , плохо дружат с памятью. Увы, в целях экономии в этих моделях контроллер памяти вместе с графическим ядром вынесен на отдельный кристалл, который соединен с вычислительными ядрами шиной QPI. Использование шины плохо сказывается на производительности контроллера, так что от скоростной памяти в системе с Clarkdale особого толка не будет.

Разгон памяти, работающей в тандеме с обозначенными процессорами, осуществляется самым обычным образом: увеличиваем множитель, подкручиваем частоту BCLK (по умолчанию она равна 133 МГц). Никаких подводных камней нет, разве что при сильном разгоне придется понизить множитель QPI и увеличить напряжение, подаваемое на L3-кэш (пресловутый Uncore). Старшие Clarkdale, как правило, могут завести оверклокерскую память на частотах около 2000 МГц, что не так уж и плохо. Другое дело, что прирост быстродействия системы от увеличения скорости работы плашек будет совсем уж мизерным. Что касается максимального множителя для памяти, то он зависит от конкретной модели процессора: для «пентиумов» он равен 8х, а у Core i5-6хх и Core i3 - 10х. Кроме того, существует еще Core i5-655K , созданный специально для разгона, - он поддерживает множитель 16х, но лишь немногие материнские платы знают о его возможностях.

AMD Phenom II/Athlon II

В последние годы каждая новая процессорная архитектура от Intel привносит какие-то новые особенности, связанные с разгоном. С AMD все иначе - алгоритм раскочегаривания этих кристаллов уже давно практически не претерпевает изменений. Вероятно, что вместе с выходом процессоров Llano , оснащенных встроенным графическим ядром, этой стабильности придет конец, ну а пока что мы рассмотрим, каким образом разгоняется память, работающая в тандеме с нынешними решениями AMD - Phenom II и Athlon II .

В качестве опорной частоты для памяти в данном случае выступает частота системной шины (HT Clock по терминологии AMD), которая по умолчанию равна 200 МГц. Изменение этого параметра сказывается на режиме работы процессора, контроллера памяти (этот блок обычно обозначается как CPU NB) и шины HyperTransport Link. По этой причине в поисках частотного потолка вашего ОЗУ следует понизить множители для процессора и HT Link, а вот контроллер памяти, напротив, глушить не стоит. Его частота должна быть по крайней мере в три раза выше, чем реальная частота памяти (и, соответственно, в полтора раза выше, чем частота эффективная), иначе стабильность системы не гарантируется. Вместе с тем чем быстрее работает контроллер, то тем больше шансов выдавить из модулей памяти лишние мегагерцы или понизить их тайминги. Можно даже слегка задрать напряжение CPU NB, чтобы достичь лучшего результата, но сильно увлекаться не стоит.

Следует отметить, что на платформах AMD память разгоняется хуже, чем на платформах Intel и, как правило, отметку в 2000 МГц оверклокерам покорить не удается. Таким образом, покупать для такой системы сверхбыстрые планки DDR3 нет особого смысла. Учтите, что режимы работы до DDR3-1600 МГц включительно можно активировать изменением множителя, однако при дальнейшем разгоне в любом случае придется мучить тактовый генератор.

* * *

Как видно, изменять опорную частоту при более-менее серьезном разгоне памяти приходится практически всегда (а если бы на свете не существовало Sandy Bridge, это высказывание было бы еще более категоричным). Да, порою серьезных частот можно достичь посредством одних лишь множителей, однако шаг между доступными для активации значениями частоты в этом случае оказывается слишком велик, поэтому для более точного нахождения частотного потолка все равно приходится шаманить с тактовым генератором. Ну а это, как известно, приводит к изменению частоты процессора.

Мораль такова: если уж заниматься разгоном памяти серьезно, то параллельно стоит разгонять и процессор. В самом деле, зачем выжимать все соки из плашек и одновременно пытаться сдерживать рабочую частоту процессора, если даже незначительный разгон ЦП даст куда больший эффект, чем все опыты над памятью? Таким образом, прежде чем браться за разгон памяти, будет неплохо узнать, какие частоты способен покорить ваш процессор. Ну а после придется искать баланс между скоростью работы кристалла и частотой/таймингами оперативки, ведь обычно выставить максимально привлекательные значения обоих компонентов разом не получается.

Сложно? Что ж, никто не мешает вам просто слегка подкрутить тайминги или увеличить множитель памяти, а после наслаждаться свалившимся из ниоткуда быстродействием, не углубляясь в дальнейший разгон компьютера. Не хотите раскрывать весь потенциал системы - не надо. Ну а господам энтузиастам мы желаем удачи в этом нелегком, но интересном деле.

часть первая: аппаратное изменение параметров работы процессора и памяти

Предупреждение: модификации, о которых рассказывается в этой статье, могут привести к необратимому выходу ноутбука из строя и дальнейшему дорогостоящему ремонту! Любые модификации, описанные в настоящем материале, производятся пользователями на свой страх и риск.

Если вы не уверены в своих действиях или не очень хорошо знакомы с устройствами, описанными в статье, не стоит прибегать к описанным методам разгона!

Введение

Разогнать ноутбук несколько сложнее, чем настольный компьютер. Если в разгоне настольного компьютера 80% времени занимает процесс подбора нужных параметров в BIOS, то в разгоне ноутбука эту часть времени займет поиск ответа на вопрос "А как его вообще разогнать?", потому что BIOS ноутбука настройками для разгона не балует.

В ноутбуке, как и в стационарном компьютере, разогнать можно процессор, оперативную память и видеокарту.

Видеокарта

С ней обычно проблем нет, существует множество программ, позволяющих без труда её разогнать, например, RivaTuner, AtiTool и прочие. Аппаратно видеокарту разгонять тоже можно (модифицировать её BIOS, делать вольтмод видеочипа и видеопамяти), но сделать это непросто и опасно. На скорость загрузки ОС аппаратный разгон видеокарты не влияет, поэтому единственным удобством станет то, что после переустановки операционной системы не придется заново создавать профили разгона. К тому же, такой способ гораздо опасней программного, ведь в случае, например,неудачной модификации видео-BIOS в ноутбук не установишь другую видеокарту, а прошивать вслепую рабочий вариант BIOS не всегда возможно.

Оперативная память

В чипсетах AMD частота памяти не зависит от частоты FSB, но удачный самостоятельный разгон возможен только при использовании процессора AMD. В случае связки процессора Intel с чипсетом AMD частота памяти выбирается максимально возможная по данным из SPD (из поддерживаемых чипсетом, естественно), т.е. фактически для разгона памяти в этом случае достаточно прошить в SPD бОльшую частоту.

Процессор

С ним часто приходится попотеть, чтобы получить желаемый результат. Разогнать процессор в ноутбуке можно тремя основными способами:

1. Программный разгон. Он осуществляется с помощью программ, которые управляют тактовым генератором (ТГ, PLL-микросхема, clocker, клокер) и умеют на лету изменять частоту FSB . Здесь есть одно "но" - чтобы программа работала, нужно знать, какой тактовый генератор установлен в Вашем ноутбуке, а для этого придётся либо его разбирать и искать заветную микросхему на плате, либо подбирать, пробуя каждый из немалого списка ТГ. Примерами программ для разгона являются SetFSB, Clockgen и прочие. Есть также некоторые факторы, ограничивающие применение этого метода разгона, а именно:

• не все PLL поддерживают программное управление;
• бывает, что разгон заблокирован аппаратно или на уровне BIOS. Т.е. даже если нужный ТГ поддерживается программой, разгон осуществить не удастся;
• новые ноутбуки с новыми ТГ выпускают чуть ли не каждую неделю, соответственно, на добавление поддержки этих ТГ иногда требуется значительное время;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, поэтому при разгоне можно упереться в память.

2. BSEL-мод. Метод заключается в подаче низкого (логический 0) и высокого (логическая 1) уровня на BSEL-пины процессора. Под низким и высоким уровнем понимается напряжение определённой величины, оно может быть различным для разных процессоров. Физически реализуется замыканием на землю и изолированием (либо замыканием на Vcc пины процессора) соответствующих пинов процессора. Главный плюс такого метода в том, что чипсет выставляет новое соотношение FSB: DRAM либо более высокие тайминги для оперативной памяти, поэтому разгон не упрётся в память, но не всегда. Как и в случае с программным разгоном, у BSEL-мода есть свои подводные камешки:

• Последние мобильные чипсеты Intel (проверено на 945PM, PM965, PM45) после BSEL-мода блокируют множитель процессора на х6, и результирующая частота оказывается меньше исходной. На чипсетах AMD такой проблемы нет (проверялось на чипсете Xpress 1250 c процессором Intel T2330, BSEL-мод 133->200 прошел успешно);
• частоту FSB таким способом можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.п.;
• если чипсет официально не поддерживает частоту FSB, на которую планируется сделать BSEL-мод, то, скорее всего разгон не удастся. Это может происхоидть по разным причинам, например, блокировка либо отсутствие поддержки других BSEL-комбинаций в BIOS, или невозможность чипсета работать на новой бОльшей частоте и т.п.

3. Мод тактового генератора. Непосредственное вмешательство в электрическую схему, связывающую ТГ с процессором и чипсетом. Метод похож на BSEL-мод, только проводится с BSEL-пинами микросхемы ТГ, а не процессора. При этом в ряде случаев нужно отключать BSEL-пины процессора от модифицируемых BSEL пинов ТГ. Преимущества данного метода:

• он универсален и подходит почти ко всем ноутбукам;
• в отличие от BSEL-мода, чипсетуBIOS необязательно иметь официальную поддержку нужной частоты, и такой разгон невозможно заблокировать в BIOS. В общем случае чипсет вообще не знает, что новая частота FSB отличается от частоты, задаваемой BSEL-пинами процессора.

Недостатки:

• достаточно сложно реализовать, требует навыков обращения с паяльником и некоторых теоретических знаний, а также наличие мультиметра и некоторых других технических приспособлений;
• как и в случае с BSEL-модом, частоту можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.д.;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, так что разгон может упереться в память.
• При таком методе чипсет не переключает свои внутренние тайминги, и увеличить частоту FSB более чем на 66 МГц вряд ли получится.

Последние 2 способа аппаратные, т.е. они начинают работать сразу после нажатия кнопки «ВКЛ», после переустановки ОС тоже не нужно всё настраивать заново.

Разгон видеокарты

В Samsung R560 стоит распаянная на материнской плате дискретная видеокарта GeForce 9600M GS/GT с 256/512 MB GDDR3 памяти. У меня версия GS с 256 MB. Разгонялась она с помощью программы nVidia system tools. Подробно описывать этот процесс смысла нет, т.к. он заключается в передвижении ползунков в программе. Скажу лишь, что после выставления частот необходимо тестировать систему на артефакты и нагрев «волосатыми» тестами типа FurMark или кубика в AtiTool. Артефакты - это искажения изображения при переразгоне. Вот максимальный, стабильный разгон моего экземпляра:

Частоты я поставил в автозагрузку с помощью правил в той же nVidia system tools. Стоит отметить, что в простое карта сама сбрасывает частоты для экономии энергии.

Разгон процессора и памяти

Небольшая предыстория

Тут все оказалась не так гладко как с видеокартой. Когда еще у меня был Samsung R70, я хотел разогнать его программно, потому что понятия не имел об остальных способах. Ради этого я разобрал ноутбук, нашел ТГ и отправился качать программы для изменения частоты FSB. Ноутбук был тогда относительно новым, и поддержки нужного мне ТГ ни в одной программе не оказалось. Точнее, в них были были модели ТГ, похожие на мою, они даже позволяли менять частоту, но через несколько секунд ноутбук зависал.

Я не поленился и написал письмо Abo, разработчику SetFSB, с просьбой добавить поддержку моего ТГ. Однако он ответил, что указанный ТГ не поддерживает программное изменение частоты. Тогда я написал ему про ситуацию насчет изменения частоты при выборе другого PLL, но в ответе он написал, что не понимает как это может быть реализовано.

Но я на этом не остановился. Перелопатив десятки страниц в поисковиках и сайтов на китайском языке, я нашёл и скачал техническое описание (даташит) на свой ТГ и его ближайших родственников. Оттуда я узнал, что ТГ управляется путём записи данных в его регистры . А самое замечательное, что содержимое этих регистров можно просматривать и изменять в SetFSB. Внимательно изучив даташит, я все-таки нашел регистр, с помощью которого можно было управлять частотой этого злополучного PLL:

Видно, что 7-й бит отвечает за включение/выключение ручного режима управления, а с 4-го по 2-й - за выставление частоты. Правда, частоту с его помощью можно было менять только ступеньками с одной стандартной частоты на другую, т.е. 166,200,266 и т.п. - так, как это делает BSEL-мод. И это тоже был, казалось бы, тупик, потому что в R70 стоял процессор с частотой FSB=200 МГц и чипсет PM965, который официально не поддерживает более высокую частоту. Т.е. при переключении с частоты 200 МГц на частоту 266 МГц ноутбук зависал. Вольтмод чипсета я тогда еще делать не умел, впрочем, если бы даже и умел, то неизвестно, помог бы он или нет. Но к счастью, у знакомого оказался процессор T5750, который работал на FSB 166 МГц, и мы поменялись. С этим процессором разгон удался, изменив значение регистра я переставил частоту со 166 на 200 МГц и получил прирост частоты процессора в 400 МГц и частоты памяти в 133 МГц, т.е. процессор стал работать на 2,4 ГГц, а память DDR2 - на 800. Хотя, честно говоря, абсолютный выигрыш от разгона в данном случае несколько сомнителен, так как у моего Т7300 кэш второго уровня 4 МБ, а у Т5750 он в два раза меньше. И непонятно, что в данном случае лучше - лишние 2 МБ кэша или 400 МГц прироста частоты.

И все вроде бы получилсоь, только вот частота выставлялась через раз, а в остальных случаях ноутбук зависал, причем чаще зависал, чем выставлял частоту. Но какое никакое, а достижение. Написал про этот регистр Abo, и он впоследствии добавил поддержку моего PLL в SetFSB. Правда, поддержка не такая, как для «нормальных» ТГ, но хоть какое-то поле для действий. Под «нормальными» ТГ я подразумеваю такие ТГ, которые позволяют изменять частоту с шагом ~1 МГц, а не по таблице.

В R560 стоит точно такой же тактовый генератор. Кстати говоря, не во всех экземплярах R70, R560 и R710 (аналог R560 с 17-дюймовым экраном) стоят ТГ Silego SLG8SP513V. В некоторых устанавливались ТГ фирмы IDT и SpectraLinear. Ситуация с их поддержкой такая же безрадостная как и с SLG, причем в ТГ SpectraLinear частоту переключать нельзя вообще никак. Вот сам ТГ от Silego:

Процесс разгона

В R560 установлен чипсет Intel PM45, который официально поддерживает частоту 266 МГц и может работать даже на частоте 333 МГц, что, казалось бы, создает идеальные условия для разгона моего Т7300 (200*10). Однако не тут-то было. Чипсет при старте ноутбука в зависимости от частоты FSB (точнее, не от самой частоты, а от BSEL-комбинации пинов процессора) выставляет тайминги для памяти, которые он берет из SPD. И получилась такая ситуация: для FSB 200 МГц выставлялись тайминги 6-6-6-15, а для разгона на FSB 266 МГц нужны тайминги 7-7-7-20, если верить SPD. Выходов было несколько:

• сделать BSEL-мод на 333 МГц, тогда множитель заблокируется на х6 и результирующая частота процессора останется такой же (333*6=2,0 ГГц), что достаточно неплохо, учитывая более широкую шину процессора и то, что частота памяти была бы в этом случае 1333 МГц. Тайминги при этом должны выставиться правильные;
• модифицировать SPD модулей памяти так, чтобы на частоту FSB 200 МГц чипсет выставлял тайминги 7-7-7-20. При этом дальше можно было бы заниматься программным разгоном, т.к. память функционировала бы в стандартном режиме.

Первый вариант, на который я так надеялся, отпал после его практической проверки. В таком положении перемычек/изоляторов на BSEL-пинах процессора ноутбук не стартовал вообще. Такая ситуация возможна в силу целого ряда причин, но точную могут знать только инженеры компании Samsung.

Второй вариант было реализовать относительно просто. Существует специальное ПО для перепрошивки SPD, я воспользовался Taiphoon Burner 6.1. Однако при прошивке возникла проблема: в силу того, что в R560 используется память типа DDR3, разные программы почему-то выдают разную информацию об SPD, однако это в итоге не помешало мне при работе с SPD. После недолгих опытов и перепрошиванием SPD туда и обратно выяснилось, что ноутбук упорно не хочет стартовать, если для частоты FSB 200МГц прописан Cas Latency не равный 6, а мне нужен был CL=7. Остальные тайминги без CL=7 выставлялись замечательно. Некоторое время я искал на различных форумах причины такой ситуации, но безрезультатно. Поэтому было решено протестировать тайминги 6 -7-7-20. Вопреки моим ожиданиям, система не только запустилась, но и стабильно работала даже в стресс-тестах.

Вот что прописано в SPD по умолчаниию:

А вот модифицированный вариант:

Так выглядит редактор таймингов:

Стоит отметить, что если у вас только одна планка памяти, то заниматься перепрошивкой SPD не стоит. Потому что в случае неправильной установки таймингов ноутбук стартовать с этой планкой не будет. Я специально для опытов купил еще одну самую дешёвую планку памяти на гигабайт, которую не слишком жалко потерять. Если в ноутбуке стоит две планки и одна из них прошита неправильно, то можно вставить рабочую, загрузить на ней систему, а потом «на горячую» воткнуть нерабочую и прошивать её обратно на рабочие тайминги. Есть риск спалить планку или, что еще хуже, того материнскую плату, но при отсутствии под рукой программатора других вариантов нет. К слову, планку я таким способом возвращал к жизни около 10 раз и сейчас она чудесно функционирует. Позднее было выяснено, что существует безопасный способ с заклеиванием контактов на планках скотчем. Суть его заключается в том, что нужно заклеить скотчем все контакты на планке памяти, кроме тех, которые нужны для чтениязаписи микросхемы SPD. Для So-DIMM DDR3 204pin нужно оставлять незакленными по 5 последних контактов с обоих сторон планки. Если память другая, то нужно найти даташит на нужный формфактор, и в соответствии с ним оставить незаклеенными плюс, массу и пины, касающиеся работы с микросхемой SPD.

Казалось бы, цель достигнута, но у программного разгона R560 есть существенные недостатки - мало того, что, как и в R70, при переключении частоты ноутбук с вероятностью ~70% зависает, при удачном переключении частоты он ещё и перезагружается. Понятно, что о постоянном использовании этой схемы и речи быть не может, в лучшем случае будет двойной старт, в худшем система вообще зависнет.

Финишная прямая

К счастью, это был не конец. На форуме, в ветке про разгон ноутбуков, я наткнулся на запись о том, как один человек (Выражаю благодарность Константину из Байконура, без него то, что я буду описывать далее, не получилось бы) с помощью паяльника и определенных навыков сделал мод, при котором чипсет продолжал думать, что работает на стандартной частоте, в то время как ТГ выдавал другую (способ разгона №3). Множитель, естественно, не блокировался. Посовещавшись с ним, мы пришли к выводу, что аналогичный мод можно сделать и у меня.

Как я уже говорил ранее, в тактовом генераторе существуют три пина, которые выполняют ту же функцию, что и контакты BSEL в процессоре. На рисунке это пины под номерами 5, 17, 64.

В большинстве случаев на этих пинах висят еще и дополнительные функции, поэтому приходится думать, что-то куда-то перепаивать, где-то делать разрыв, добавлять дополнительные сопротивления. В общем, это достаточно трудоёмкий процесс, требующий специальных знаний, навыков, инструментов и деталей. Чтобы сделать такой мод, нужно отследить, с чем соединяется на плате нужный пин тактового генератора. В моем случае это было нереально, так как выходящая из ТГ дорожка через 5 мм уходила во внутренние слои платы. К счастью, мне повезло, на нужном мне пине, а именно №64, была функция, которая ни на что не влияет в нормальном режиме работы ноутбука.

Согласно этой таблице, чтобы переключить частоту с 200 на 266 МГЦ, мне нужно было отпаять пин FS_B (№64) и подать на него низкий уровень, т.е. замкнуть его на землю, чтобы получить логический 0. В принципе, если не замыкать его на землю, а просто отпаять, то, по идее, ничего измениться не должно, так как на стандартной частоте эта нога имеет значение логической единицы. Я не долго думая разобрал ноутбук и перебил дорожку, отходящую от 64-го пина.

Решил проверить ноутбук и убедиться, что он по-прежнему работает. Windows загрузилась, и тут я в трее, рядом со значком RMClock, увидел на индикаторе частоты процессора цифру 2,66, подумал что это какой-то сбой. Выключил, включил, но RMClock все равно показывал те же цирфы, а CPU-Z показывал, что частота FSB равна 266 МГц. Единственное, меня немного смущал вопрос, почему пин, висящий в воздухе, принимается за логический 0. Я протестировал систему на стабильность в течение нескольких минут и наконец собрал ноутбук на все винты, а не на три шурупчика «лишь бы держалось». Можно считать, что цель достигнута.

Вот они, заветные цифры:

В скором времени обнаружилась интересная особенность - после ухода ноутбука в режим сна S3, и выхода из него, частота сбрасывалась на заводскую. Тут я вспомнил про пин, висящий в воздухе, и решил всё-таки припаять его на землю, как и полагается. После этого баг больше не проявлялся.

Охлаждение и тестирование

Во времена, когда у меня был еще R70, очень остро стоял вопрос охлаждения, потому что установленная в него видеокарта 8600M GT сильно греется, а при разгоне температура вообще доходила до 100 градусов. С этим надо было что-то делать. При разборке я заметил, что на других ноутбуках прямо под вентилятором охлаждения предусмотрены вентиляционные отверстия, через которые он засасывает холодный воздух. В R70, также как и в R560, напротив вентилятора таких отверстий нет и поток воздуха из-за этого ослабевает и приходит на вентилятор уже нагретый за счёт тепла компонентов материнской платы. Я решил исправить этот досадный момент колхозным, но эффективным способом:

Уже не помню, насколько упала температура после этого, но могу сказать, что такой ход примерно равносилен покупке охлаждающей подставки, он снижает температуру на 5 и более градусов в зависимости от нагрузки. Кстати о подставке, всем рекомендую приобретать такую, если хотите заняться разгоном ноутбука. Главное при выборе подставки для R560, это расстояние между днищем и подставкой - чем оно больше, тем лучше. Расположение вентиляторов имеет имеет значение только если вы будете сверлить отверстия напротив вентилятора, как это сделал я. Лучше, если заборные отверстия вентилятора ноутбука находятся прямо над вентиляторами подставки.

Теперь о результатах тестов. Рассуждать тут собственно не о чем, цифры говорят сами за себя:

3Dmark 2006 (default, 1280×800, видеокарта под разгоном, процессор и память не разогнаны, XP).

Everest без разгона:

Everest с разгоном:

О температурном режиме могу сказать, что мой T7300 сам по себе горячий, стресс-тестирование S&M или LinX без дополнительного охлаждения он не проходит даже на заводской частоте. Без разгона эта проблема на ура решается понижением напряжения - процессор может стабильно работать при напряжении 0,9875В. А вот с разгоном понижать напряжение уже некуда. С разгоном в ресурсоёмких играх температура процессора держится на уровне 80–90 градусов, видеокарты - около 80. Хотя, в принципе, этот уровень находится в пределах нормы. Примечательно, что после разгона температура процессора практически не изменилась.

Заключение

Разгон ноутбуков - занятие непростое, но интересное и к тому же выгодное. Зачем покупать ноутбук за 50–70 тысяч рублей, когда той же (если не бо́льшей) производительности при правильном подходе можно добиться от ноутбука за 30–40 тысяч. Пример в лице Samsung R560 это подтверждает. Мое личное мнение состоит в том, что Samsung R560 просто создан для разгона. На 45-нм процессоре (которым он, кстати, и комплектуется) можно достичь внушительных результатов: процессор можно разогнать до ~2,8–3,4ГГц, память DDR3 - до 1333МГц. Недурно для ноутбука за ~35 тысяч рублей.

Глоссарий

• Слово «вольтмод» взято из английского (voltmodification) и означает «модификация напряжения». Вольтмод включает в себя любую модернизацию напряжения питания памяти или ядра (не путать с изменением настроек BIOS материнской платы). В основном вольтмод применяют для модернизации системы питания видеокарт или материнских плат.
• Чипсет - набор микросхем материнской платы.
• Тайминги - задержки доступа к данным в DDR-памяти.
• Микросхема SPD (Serial Presence Detect) - микросхема на планке оперативной памяти, в которой хранится информация о частотах, таймингах памяти и многое другое.
• Тактовый генератор - генерирует электрические импульсы заданной частоты (обычно прямоугольной формы) для синхронизации различных процессов в цифровых устройствах.
• Частота, на которой работает центральный процессор, определяется исходя из частоты FSB и коэффициента умножения. Большинство современных процессоров имеют заблокированный коэффициент умножения, так что единственным способом разгона является изменение частоты FSB.
• BSEL-пины на процессоре отвечают за выбор чипсетом и ТГ частоты FSB и всех зависящих от неё параметров соответственно. На последних процессорах таких пинов три, они могут принимать значения логического нуля или единицы. Различные комбинации таких нулей и единиц соответствуют разным частотам FSB.
• Регистром называется функциональный узел, осуществляющий приём, хранение и передачу информации.

Оперативная память не менее важна для быстродействия компьютера, чем центральный процессор и видеокарта. И если мы уже разобрались с разгоном процессора, то почему бы нам не раскрыть вопрос, как разогнать оперативную память на компьютере? Думаю, этот вопрос не менее актуален. Однако здравствуйте!

Конечно же, вам нужны будут небольшие познания работы с BIOS, но страшного в этом ничего нет, особенно, если вы уже пробовали . А вот можно и не заходя в БИОС, достаточно воспользоваться бесплатной программой MSI Afterburner, но сегодня не об этом.

Ну что же, думаю самое время приступить к делу. Закатите рукава повыше и подвиньте клавиатуру поближе.

Прежде чем разогнать ОЗУ

По идее, что бы вы ни сделали с вашей оперативной памятью в ходе экспериментирования и разгона, вы не сможете ей никак навредить. Если настройки будут критическими, то компьютер попросту не включится или автоматически сбросит настройки на оптимальные.

Однако не стоит забывать и о том, что любое повышение производительности оперативной памяти снижает срок ее жизни. Да, так и в жизни, бодибилдеры не бывают долгожителями.

Очень важно понимать также, что разгон оперативной памяти компьютера это не просто увеличение ее тактовой частоты! Вам придется провести множественные эксперименты по настройке и тонкой подстройке таких параметров, как тактовая частота, напряжение и тайминги задержки. Если вы увеличиваете частоту, то тайминги придется тоже увеличивать, но ОЗУ, как известно, работает тем быстрее, чем ниже эти тайминги задержки. Палка о двух концах.

Именно поэтому, разгоняя оперативную память, подобрать оптимальные настройки получится далеко не с первого раза. Хотя, если у вас ОЗУ какого-то именитого бренда, то скорее всего данную модель оперативной памяти уже кто-то пробовал разгонять и, вполне вероятно, выложил полезную информацию где-нибудь в интернете на специализированных форумах. Нужно только поискать немного.

Учтите еще, что если даже вы нашли на каком-то форуме оптимальные параметры для разгона именно вашей оперативной памяти, то это совсем не означает, что в вашем случае эти параметры также окажутся оптимальными и максимально производительными. Очень многое зависит от связки ЦП-Мать-ОЗУ . Поэтому, если вы хотите сразу оптимальные параметры для разгона ОЗУ, то вам будет полезно иметь на вооружении некоторую информацию о вашем компьютере. Постарайтесь ответить на вопросы:

1. Какая у меня оперативная память ? Производитель и модель. А если память из бюджетного класса, то просто нужно знать , частоту, тайминги задержки.
2. Какой у меня процессор ? Модель, частота, размер кэш памяти 2-го и 3-го уровня.
3. Какая у меня материнская плата ? И на ней?

Ответив на эти вопросы, смело отправляйтесь на форумы и ищите связки, похожие с вашей. Но опять же повторюсь, лучше всего провести эксперименты и выяснить, какие настройки и параметры будут оптимальными именно для вашей системы.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award , нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1 , чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M. I. T.) . Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier . Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features . Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual , то есть на ручную настройку.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M. I. T. и заходите там в «Расширенные настройки частот ». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти .

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти ». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Правильный разгон оперативной памяти (формула)

Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.

Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.

Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.

Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:

DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V
2133 / 12 = 177.75

DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
2400 / 14 = 171.428

DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
2666 / 15 = 177.7(3)

Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.

Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ

После каждой подстройки оперативной памяти в биосе (то есть после разгона) сохраняйте настройки биоса и запускайте систему. Если система запустилась, это уже хорошо, если нет – компьютер перезагрузится с заводскими настройками. А если компьютер совсем не включается, то настройки можно сбросить вручную, замкнув на материнской плате контакт Clear CMOS (JBAT1) любым металлическим предметом или перемычкой.

После этого вам нужно будет проверить систему на стабильность , запустив один из специальных тестов (например, в AIDA64 или Everest) или запустив игру, которая может хорошенько нагрузить систему. Если компьютер не выключается, не перезагружается, не выдает ошибку, не зависает и не появляется синий экран смерти, значит, эти настройки разгона оперативной памяти вам подошли.

Отсеивайте те комбинации настроек, при которых компьютер работает нестабильно. А те, которые работают стабильно, проверяйте на производительность и сравнивайте.

Можно использовать многочисленные бенчмарки (в том числе встроенными в AIDA64 или Everest) и проверять с какими настройками сколько баллов наберет ваша система. А можно использовать старый добрый архиватор. Создайте папку для теста, накидайте в нее всякого хлама (файлы среднего и маленького размера) и заархивируйте ее архиватором. При этом засеките, сколько времени на это уйдет. Победит, конечно же, та настройка, при которой архиватор справится с тестовой папкой максимально быстро.

Тестирование моей оперативной памяти в бенчмарке Everest’a

Резюме:

Чем же можно резюмировать эту статью. Первое, что я хочу вам сказать – разгон оперативной памяти – это не так уж и просто . И, если вы прочитали даже 20 статей на эту тему – это еще не означает, что вы знаете, как разогнать оперативную память .

Второе – разгон оперативной памяти не повысит производительность вашей системы так же сильно, как , если только вы не обладатель процессора AMD Ryzen. В случае с этой линейкой процессоров от компании AMD, скорость оперативной памяти очень сильно влияет на быстродействие процессора. Это обусловлено принципиально новой архитектурой процессора, в которой кэш память процессора оказалась слабым звеном.

ОЗУ не самая дорогая вещь в компьютере. Вот и подумайте, может быть вам лучше не разгонять, а просто ?

В любом случае, удачи вам в экспериментах и делитесь своими результатами, нам тоже интересно!

Вы дочитали до самого конца?

Была ли эта статься полезной?

Да Нет

Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!

По умолчанию все характеристики оперативной памяти компьютера определяются БИОС и Windows полностью автоматически в зависимости от конфигурации оборудования. Но при желании, например, попытке разогнать RAM, есть возможность произвести регулировку параметров самостоятельно в настройках BIOS. К сожалению, сделать это можно не на всех материнских платах, на некоторых старых и простых моделях такой процесс невозможен.

Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.

Способ 1: Award BIOS

Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.

1. Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del , Esc , F2 и так далее.
2. Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter .



3. В следующем меню находим параметр «System Memory Multiplier» . Изменяя его множитель, можно уменьшать или увеличивать тактовую частоту работы оперативной памяти. Выбираем чуть больше действующей.



4. Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта.



5. Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features» .



6. Здесь можно настроить тайминги, то есть время отклика устройства. В идеале, чем меньше этот показатель, тем быстрее функционирует оперативная память ПК. Сначала меняем значение «DRAM Timing Selectable» с «Auto» на «Manual» , то есть на режим ручной регулировки. Затем можно поэкспериментировать уменьшая тайминги, но не более чем на единицу единовременно.



7. Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в .



8. При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.

Способ 2: AMI BIOS

Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.

Способ 3: UEFI BIOS

На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.

1. Заходим в БИОС, нажав Del или F2 . Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode» , нажав F7 .



2. На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker» , находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.



3. Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto» , но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.



4. Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control» . Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу. Но делать это надо осознанно и осторожно.



5. Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage» , где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.



6. Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced» . Там посещаем «North Bridge» , страницу северного моста материнской платы.



7. Здесь нас интересует строка «Memory Configuration» , на которую и нажимаем.



8. В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.



9. Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.

Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения. Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется.